【摘要】：对于太阳电池而言，需要做如下假设：1）若仅考虑带间产生，则Ge=Gh 2）在持续光照条件下，太阳电池一般工作在稳态，即电子浓度变化率和空穴浓度变化率均为。此时连续性方程进一步简化为对于太阳电池而言，其复合包含了辐射复合Urad、俄歇复合Uauger、陷阱复合Utrap和表面复合Usurf等物理过程。太阳电池非平衡载流子浓度的求解即采用上式。
为了更好地了解半导体内载流子的输运情况，这里以一维半导体输运方程组描述载流子的产生、复合、漂移和扩散问题。
一维空间中，连续性方程为[17]
对于晶体半导体材料，由第3章非平衡载流子统计分布与电流的讨论中可知
对于一维模型而言
所以，得到
此即半导体材料通用连续性方程。
对于太阳电池而言，需要做如下假设：
1）若仅考虑带间产生，则
Ge=Gh （4.136）(www.xing528.com)
2）在持续光照条件下，太阳电池一般工作在稳态，即电子浓度变化率和空穴浓度变化率均为
。
3）若所用太阳电池材料是理想的、高纯度的、不存在界面态，则内建电压Vbi只存在pn结内部，pn结可以看做由三个区域组成，它们分别是p型电中性区、耗尽区和n型电中性区。因此，电中性区不存在电场（F=0）。此时连续性方程进一步简化为
对于太阳电池而言，其复合包含了辐射复合Urad、俄歇复合Uauger、陷阱复合Utrap和表面复合Usurf等物理过程。由于各种复合具有相同的表达式。所以，定义n型半导体的总复合率Ue和p型半导体的总复合率Uh分别为[18]
式中
进一步化简连续性方程为
又因为少子寿命和扩散长度的关系
该组方程即为分析半导体器件的基本方程。太阳电池非平衡载流子浓度的求解即采用上式。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
