在以kx,ky,kz为坐标轴的三维波矢空间,每个许可的量子态在波矢空间内的体积为,则单位体积内包含的量子态的数目为。图3.8所示为k空间中的单电子许可态与能量为EF的费米面[16]。
所以,k~k+dk的体积元内的量子态数目为
对于三维空间,等能面为球面,从k~k+dk的体积元的体积为
dk=4πk2dk (3.16)
根据泡利不相容原理,每个量子态可以容纳两个自旋相反的电子。因此,k~k+dk的体积元内的电子态数目为
图3.8 波矢空间中的单电子许可态与能量为EF的费米面
a)k空间中的单电子许可态 b)能量为EF的费米面
(图3.8a中仅画出了kyk2平面上的一部分,每个量子态占据的k空间体积为)
假设导带底EC出现在k=0,根据式(3.2)对抛物线形能带近似得到能量E~E+dE之间的状态数为
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得到单位晶体体积内,单位光谱dk或单位能量dE的电子态数量,即状态密度分别可表示为
式中,gC(k)的量纲为1;gC(E)的量纲为cm-3eV-1。相比关于波矢k的状态密度g(k),关于能量E的状态密度应用更加方便。gC(E)是一个双重密度,反映了单位能量、单位体积内的量子态密度,对能量E积分,得到在一定能量范围内电子量子态的数量。
同理,假定价带顶也出现在k=0,则根据式(3.6),可以得到价带的空穴状态密度(gV,cm-3eV-1)为
注意,式(3.20)和式(3.21)主要是针对各向同性的三维晶体材料,而对各向异性的材料并不适用。
二维量子阱太阳电池、一维量子线太阳电池和零维量子点太阳电池,电子的运动被束缚在一定方向上。对二维量子阱来说,k空间等能面为圆环,所以
dk=2πkdk (3.22)对一维量子线来说,k空间存在两个等能点,所以
dk=2dk (3.23)然后依据同样的方法进行推导,可以得到二维和一维半导体材料导带底部电子的状态密度g2D(E)和g1D(E)分别为[15]
式中 H(E-EC)——单位阶跃函数,满足
g1D(E)反映了单位长度、单位能量间隔内的电子态数量;g2D(E)反映了单位面积、单位能量间隔内的电子态数量。
在波矢空间中,实际半导体材料的电子或空穴能量曲线在远离导带底EC或价带顶Ev的能带不满足抛物线形能带近似,因此这些能带的状态密度不适用上式。
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