【摘要】:在光照条件下,太阳电池的光生电流Jph是受激吸收净光谱电流jabs_net对光谱能量E的积分,考虑到太阳电池的反射率R、光子吸收率α′、电极对电子的收集概率ηc,则显然,太阳电池的光生电流Jph由入射光子通量billu和太阳电池的性能共同决定。则综上,太阳电池的J-V关系表达式为式即为太阳电池对外电路输出电流的表达式,它是电压V的函数。其具体物理含义在后面的章节详细介绍。
在光照条件下,太阳电池的光生电流Jph是受激吸收净光谱电流jabs_net对光谱能量E的积分,考虑到太阳电池的反射率R(E)、光子吸收率α′(E)、电极对电子的收集概率ηc,则
显然,太阳电池的光生电流Jph由入射光子通量billu(E,Ts)和太阳电池的性能共同决定。
对于理想的半导体材料,材料内部没有杂质没有缺陷,不会出现陷阱复合,部分受激电子会通过自发辐射,从激发态Ec跃迁到基态Ev,这部分由于自发辐射形成的电流被称为暗电流Jdark,其大小为自发辐射净光谱电流je_net对光谱能量E的积分[9],即
理想半导体材料中,载流子的输运没有损失,定义化学势差Δμ=qV(具体物理图像详见第3章)。则
综上,太阳电池的J-V关系表达式为
式(2.25)即为太阳电池对外电路输出电流的表达式,它是电压V的函数。其具体物理含义在后面的章节详细介绍。
由于式(2.25)过于繁琐,为简便起见,假设太阳电池表面的反射率R(E)=0;太阳电池电极对电子的收集率满足ηc=1;光子吸收率α′(E)满足[11]
则式(2.22)简化为[7](www.xing528.com)
即得到带隙为Eg的太阳电池材料的光生电流为
同样,简化式(2.24),得到带隙为Eg的太阳电池材料的暗电流为
所以,太阳电池的J-V关系表达式(2.25)可简化为
在STC条件下,kBTa=0.0258eV,光子能量E>>kBTa,自发辐射光子通量可以简化为
则
式中 ——反向饱和电流,依赖于半导体材料的带隙Eg和环境温度Ta,式(2.32)即为理想二极管的肖克莱方程[12-18],具体宏观物理意义详见第3章和第6章。
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。