TD-LTE系统功率控制原理与实现

本章介绍TD-LTE系统功率控制，E-UTRAN下行采用OFDMA（Orthogonal Frequency Division Multiple Access，正交频分多址）技术，上行采用SC-FDMA（Single Carrier-Fre-quency Division Multiple Access，单载波频分多址）技术，小区内不同UE的子载波之间是相互正交的，不存在小区内UE之间的相互干扰。因此功率控制主要用于补偿信道的路径损耗和阴影衰落，并抑制LTE同频小区间干扰，保证网络覆盖和容量需求。

按照功率控制的方向，E-UTRAN功率控制分为下行功率控制和上行功率控制。E-UTRAN功率控制在eNodeB和UE的配合下完成，可实现如下增益。

1.保证业务质量

通过调整eNodeB下行发射功率和UE上行发射功率，E-UTRAN功率控制使业务质量刚好满足BLER（Block Error Rate，误块率）要求，避免功率浪费。

2.降低干扰

E-UTRAN干扰主要来自邻区，通过对本小区的功率控制可减小对邻区的干扰。(https://www.xing528.com)

3.降低能耗

上行功率控制可减少UE电源消耗。

4.提升覆盖与容量

下行功率控制为不同UE分配不同功率以满足系统覆盖要求，扩展小区覆盖范围；另外，eNodeB通过最小化分配下行发送给每个UE上的发射功率，使其刚好满足SINR（Signal to Interference plus Noise Ratio，信干噪比）要求，提高系统容量。

由于对邻区的干扰主要来自边缘用户，eNodeB通过对边缘UE的上行功率控制采用部分路径损耗补偿降低对邻区干扰，提升网络容量。