做小角X 射线散射实验时,所直接测到的样品强度为相对散射强度,利用相对散射强度能够分析纳米颗粒的形状,粒度直径、旋转半径等结构信息,如果需要计算与质量、电子密度均方涨落相关的体积分数等结构信息时,就必须测试绝对强度,利用相对散射强度是不能够计算体积分数的。在参考文献的基础上[154],利用北京同步辐射装置小角散射站测试了绝对强度。
图4.4 ZCuSn10Zn2FeCo合金SAXS实验Porod曲线
一个样品的绝对散射强度可以表示为
式中 ie——绝对散射强度的单位比例常量;
I0(0)——入射光束的强度,它指的是0°入射光的强度;
I(θ)——样品的相对散射强度;
θ——散射角,rad。
可以看出,绝对散射强度的测量关键在于入射光束强度I0(0)的测量,但是0°入射光为直通光,在实际实验中如果直接测量入射光束的强度,会因为直射的光束太强而打坏探测器,因此在实验中直接测量入射光束的强度是不可能的,只能间接测试绝对散射强度。比较常用的就是衰减法,制作不同厚度的吸收箔片,使得入射光机械地衰减到探测器可以探测的范围内,然后再外推出入射光的绝对强度。
拟利用小角站的标准Si片作为试样,利用衰减法来测试实验中所用光的绝对强度。
设衰减前的光束强度为I0(0),衰减后为),则有[154]
式中 t——吸收Si片的厚度;
μ——Si对X 光的吸收率。
将式(4.5)两边取对数得
为了测得所需要的数据,我们需要制作一套不同厚度的吸收片,测试其2θ=0°的光强度I′0(0),做)-t图,然后将t外推到0,最后求得I0(0)。
由于北京同步辐射装置小角X 散射站已经运行相当稳定,因此我们对所需的绝对强度进行了测试,测试结果见表4.1。(www.xing528.com)
表4.1 绝对强度测试实验数据表
根据所测试的实验数据表,画ln I0(0)-t曲线图,如图4.5所示。
图4.5 ln(I0i/K1i)-t实验曲线
对图4.5进行外推,得到的i0(0)为5.7516 [其中i0(0)为电离数为1时,成像板上的读数],这样利用Si片衰减法方法我们得到了i0(0),我们在对样品进行SAXS实验时,利用fit2d软件可以得到相对散射强度I(h),同时获得的还有第一电离室读数,这样我们就可以计算入射光相对于成像板单位的强度I0(0)。
确定了绝对散射强度之后,可根据积分不变量与体积分数之间的关系来确定析出相的体积分数。对于试样而言,可以近似地看作两相体系,对于两相体系积分不变量和体积分数的关系为
式中 ——积分不变量;
I(h)——X 射线照射试样产生的绝对散射强度;
V——X 射线照射到的测试试样体积;
ρ-ρ0——粒子和基体之间的电子密度差;
C——粒子的体积百分数。
为了得到粒子的体积百分数,需要计算确定绝对散射强度,以及计算积分不变量。积分不变量的计算过程如下:
式中 Kp——Porod常数;
hp——Porod区的起点。
计算得到积分不变量=8.755×1035 nm-2,从而计算得到铸态条件下的纳米颗粒体积分数为C=1.6%。
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