因为纳米线长宽比非常大，对于尺寸小于外部场波长1/4的结构，能观察到其振荡频率的改变。上文已经提到，纳米线与光电磁场或者高频率电磁场的非线性相互作用，有助于产生有源或无源的光子结构[190]或者HF结构[191]，如在化学分析（使用表面增强拉曼散射（Surface-enhanced Raman Scattering，SERS））中把拉曼散射的敏感度提高几个数量级[192，193]。必须指出的是，这里可以采用纳米线来制造阻带过滤器或者天线结构[194-196]。因为在可见光和接近红外线的范围内纳米线以并行对的形式分布在基体中时，甚至当纳米线随机分布在基体中时，纳米线的磁导率和介电常数为负值，所以纳米线也能用于制备新型的一体化光学器件[197]。纳米线在红外线中的共振现象已经深刻地讨论过，而且人们已经采用100nm的铜和金纳米线进行了相关实验研究[198]。重要的天线状的等离子共振和表面效应则能应用于在光限制之中，也能用于消除天线周围的有效折射。关于纳米结构一般近场光学性质的内容，见参考文献[199]。
纳米棒色散的光学参数根据色散中定向的程度而改变。而外部电场能对其定向的程度产生较大的影响[200]。纳米棒色散中所观察的相移和选择性吸收产生的改变，能用于制备屏蔽材料以防止电磁干扰（EMI）。人们提出了导电CNT聚合复合材料[201]和柔性铜线聚合复合材料[202]。有人提出把CNT纳米线和纳米管天线阵列用于把纳米系统集成到微电子外围设备所需的输入输出信号多路解编和无线互连；CNT纳米线和纳米管天线阵列由长度不同的单线组成，且各根线因长度不同而振荡频率也不同。研究人员指出，这种方法能够解决从空间域到频域的互连挑战，因此消除了一个技术瓶颈[203]。(www.xing528.com)
人们把单Ni纳米线（直径为30nm和200nm）连接在Ni电极两端，并在10～300K的温度条件下测量了单Ni纳米线的磁阻[204]测量发现，其磁阻随单纳米线的大小而变化。测量还发现，随着单Ni纳米线直径的减小，其水平的和竖直方向的磁阻与薄层上获得的值有所不同。人们已经对层叠Co/Cu纳米线阵列的垂直巨磁阻（Giant Magnetic Resistance，GMR）进行了研究，相关实例见参考文献[205]。其结果显示，纳米线阵列很有可能应用于制备新型的存储器件。
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