【摘要】：因为其间距为单晶的大小，上文提到的孪晶很好地阐释了整体纳米线力学性能的变化。电子的平均自由程能对纳米线的电导性质产生关键性的影响，因此也会影响晶体缺陷[137]。人们已经综合论述了用于描述一维纳米结构力学性质的各种技术[140]。深入理解纳米线与单晶体层，对于将来研究未来封装[142-144]微纳米的可靠性问题是十分必要的。如上文所述，纳米线的制备条件对晶粒结构和结晶度有很大的影响。因此，高压注射铸造而成的纳米线是单晶的[150]。
因为其间距为单晶的大小，上文提到的孪晶（twinning）很好地阐释了整体纳米线力学性能的变化。电子的平均自由程能对纳米线的电导性质产生关键性的影响，因此也会影响晶体缺陷[137]。
以直径为30～300nm的单晶Cu、Au和Ag纳米线为背景，讨论了晶体的生长方向对镀层阶段孪晶形成的影响[138]。在这些例子中，在退火过程中镀液添加剂会在颗粒边界处起分离作用，并促使晶体的平移。因为进行研究所必需的高分辨率分析技术（如扫描电子显微镜中的纳米压痕法和EBSD探测等）直到现在才普及，所以人们正在深入研究各类线和层中金属单晶的特性[139]。(www.xing528.com)
人们已经综合论述了用于描述一维纳米结构（如纳米管和纳米线）力学性质的各种技术[140]。因为纳米线与单晶体层有许多相似之处，所以理论上的考虑[141]也是相近的。深入理解纳米线与单晶体层，对于将来研究未来封装[142-144]微纳米的可靠性问题是十分必要的。研究平面单颗粒层[145]和金纳米线[146]的理论方法应该相同。2004年Uchic等人提出，必须进行更多的研究，以便分开样本大小对样本材料特性的关键性影响，把更多的研究重点放在分离样本容量对于研究材料性质[147-149]的影响上。如上文所述，纳米线的制备条件对晶粒结构和结晶度有很大的影响。因此，高压注射铸造而成的纳米线是单晶的[150]。
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