【摘要】：通过以化学方法在CNT表面掺杂碱金属或是通过简单方法，如在真空或惰性气体中退火，p型CNT就能转变为n型CNT。掺杂浓度较低时，n型晶体管的特性曲线朝更大的负偏压方向移动。掺杂浓度中等时，由于器件中无显著的电流，其未显示出任何双极型特性。
16.6.1.1 单极碳纳米管晶体管（p型和n型）
氧分子吸附到CNT会导致p型管的形成。由这些CNT构成的晶体管表现出单极p型特性。在高的正门限电压下，掺杂晶体管孔中没有电子转移，这导致了金属半导体界面处的高肖特基势垒。这是由于CNT金属界面处的价带附近费米钉扎效应最大。在逻辑器件电路中，n型CNT非常重要。通过以化学方法在CNT表面掺杂碱金属或是通过简单方法，如在真空或惰性气体中退火，p型CNT就能转变为n型CNT。退火过程改变了因氧吸附而在接触上产生的高肖特基势垒。通过化学方法在CNT表面掺杂碱金属时，肖特基势垒的厚度被改变了，因此门限电压也会改变[48]。
Avouris[48]观察到了退火和在CNT中掺入钾金属这两种方法产生的电子转移特性。首先，n型单极器件通过退火制得，然后在每一步中引入氧气。据观察，随着氧气增加，施加同等的负偏压时，流过n型单极器件的电流减小，而施加同等的负偏压时，电流则增大。
掺杂钾形成的n型晶体管的特性与通过退火工艺形成的n型晶体管不同。掺杂浓度较低时，n型晶体管的特性曲线朝更大的负偏压方向移动。掺杂浓度中等时，由于器件中无显著的电流，其未显示出任何双极型特性。掺杂浓度较高时，器件中的电流会增加。(www.xing528.com)
16.6.1.2 双极型碳纳米管晶体管
当增加氧时，在一个中间步骤中，CNT晶体管的特性与双极型晶体管一样。取决于栅偏压的大小，CNT晶体管中会出现传导空穴或传导电子。在负向栅偏压的绝对值足够大时，双极型器件[30，49]是空穴传导的；而在正向栅偏压足够大时，它是电子传导的。
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