为了适应I/O的小接口缝隙，并防止短路，可以采用较大纵横比的柱形金属材料。由于纳米级金属线的尺寸较小并且有较大的纵横比，它有较高的稳定性。由参考文献[55-57]可知，纳米级金属线可以用作气体侦查、磁盘、电器灵敏元件中的纳米电极和热电控制装置等。为制作纳米金属线，了解纳米结构至关重要。虽然采用过许多花费很多的方法，如电子束、X射线和扫描测试等，但是对微米尺度的纳米金属线结构的探知进展缓慢。另外一种较便宜的方法，是在微孔基板（如阳极铝的氧化物（AAO）[58]或者聚合物基板[59]）进行金属电镀。但是较大尺寸聚合物的厚度较薄（意味着纳米金属线的长度很短），分布不均匀和并且微孔不一致。然而，AAO[2]却有着厚度大（>10μm）、微孔尺寸和密度的一致性、大尺寸微孔等优点。Linet等人[60]用纳米级金属线对ACF进行了改进。他们用电镀的方法，通过AAO基板获得银和钴的纳米级金属线的排列。经过表面处理后，低密度的PI扩散并能填充于纳米金属线排列的缝隙中。Ag/Co双金属的纳米金属线排列，会在Co和磁场之间产生的磁相互作用力下保持平行。
金属纳米线的直径在200nm，最大膜厚度达到50μm时，可以得到由Ag和Co的双金属纳米线组成的薄膜。在X-Y方向的绝缘电阻为4～6GΩ，Z方向的电阻（包括线电阻，3mm宽）则小于0.2Ω。他们还通过压力模拟测试来对纳米线复合材料进行评估。设计纳米线ACF的结构时，需考虑的最重要的因素是纳米线的体积比率。事实上，纳米线的体积比率不能太小，否则将对电导率没什么影响。他们也强调，必须通过增加膜层厚度或者减小聚合物基体的模数的方法，而不是减小纳米线的比率的方法，在导电性能和热机械性能中找到平衡点。(www.xing528.com)
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