首页 理论教育 纳米界面粘附力优化策略

纳米界面粘附力优化策略

时间:2023-06-18 理论教育 版权反馈
【摘要】:界面的固有粘附能可能来自三个方面:化学相互作用、物理相互租用和力学联锁。盐类中的离子键主要是由于电子迁移形成的,而共价键是由共用电子形成的。但是在电子或封装中的层合结构中,除了合金系统,界面处最常见的化学相互作用是共价键。这些化学相互作用的尺度接近0.2~1.0nm。物理相互作用物理相互作用常常指界面之间的弱键作用,比如库仑力或者范德华力。严格来讲,力学联锁不属于材料的固有粘附机制。

纳米界面粘附力优化策略

考虑一个带有一个界面并受一组外部载荷作用的系统,假设通过实验观察到这个界面失效了,因此按照系统总能量守恒定律,外部载荷所做的功就等于材料形变势能、热能与界面上的表面能(固有的粘附能)之和[4]。界面的固有粘附能可能来自三个方面:化学相互作用、物理相互租用和力学联锁。

(1)化学相互作用

界面之间的化学相互作用通常指共价键离子键或者金属键。这些键的相互作用相对较强,被称为主要的化学键。盐类中的离子键主要是由于电子迁移形成的,而共价键是由共用电子形成的。在金属中,原子中的价电子会在原子周围形成电子海(也称为电子胶),而原子会“沉入”海里面。但是在电子或封装中的层合结构中,除了合金系统,界面处最常见的化学相互作用是共价键。这些化学相互作用的尺度接近0.2~1.0nm。例如考虑SiO2和SiOC(H)薄膜(低k值材料)的界面:在O2环境中、200~400℃的温度下,通过等离子体加强化学气相沉积方法,利用前驱体正硅酸乙酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate,TEOS)(即R-Si-R,其中R代表-O-CH2-CH3)在SiOC(H)薄膜上沉淀一层SiO2。由于加工过程中温度足够高而且应用了等离子体,SiOC(H)表面的甲基(CH3)会蒸发而且被氧原子取代,结果在界面处形成了硅-氧化学键。因此,SiOC(H)-SiCN和SiO2-SiOC(H)的界面强度大于Ta/TaN-SiOC(H)的界面强度[51]

(2)物理相互作用(www.xing528.com)

物理相互作用常常指界面之间的弱键作用,比如库仑力或者范德华力。尽管物理相互作用比任何一种化学相互作用都要小很多,但是它能在大多数界面处形成,而化学相互作用的形成则需要某些特定的化学条件。物理相互作用的尺度接近5~10nm。而且,考虑一个含有聚合物界面的系统,当两个聚合物链有足够的能量并运动穿过界面时,这两个链会相互缠绕,从而增加了界面强度。

(3)力学联锁

宏观尺度,可以应用力学联锁来增加界面粗糙度和粘附强度(如对金属进行界面处理)。界面粗糙度的形式和分布都可以通过工艺和材料来控制[52]。严格来讲,力学联锁不属于材料的固有粘附机制。为了解释分子动力学方法中的势函数,下面分别描述其三种应用。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈