7种开关器件中，除不可控器件二极管外，其他6种可控器件中SCR、BJT和GTO晶闸管为电流驱动控制型器件，P-MOSFET、IGBT和IGCT为电压驱动控制型器件。6种开关器件通、断控制要求如下：
①普通晶闸管只要求脉冲电流触发其开通，并不要求有持续的门极电流保持其通态，脉冲电流的持续时间只要3～5倍SCR的开通时间就足以使其从断态可靠地转入通态。当然，阳极、阴极之间必须有外加正向电压。
②GTO晶闸管要求有正的脉冲电流触发其开通，负的脉冲电流使其关断，并不要求有持续的正、负门极电流保持其通态或断态。
现今GTO晶闸管产品的额定电流、电压已超过6kA/6kV，8.2kV/2.5kA，在10MVA以上的特大型电力电子变换装置中已有不少应用。
③晶体管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后，BJT关断。但为了加速其关断，最好能提供负的脉冲电流。为了使其可靠地截止，最好加负基极电压。(www.xing528.com)
电力晶体管BJT由于其结构所限，其耐压难于超过1800V，现今商品化的电力晶体管BJT其额定电压、电流大都限于1200V/1000A，其工作频率可达10kHz。
④P-MOSFET和IGBT要求有正的持续的栅极（或门极）驱动电压使其开通并保持为通态，最好有负的、持续的栅极（或门极）电压使其加速关断并保持为可靠的断态。IGBT是一种复合器件，它的输入控制部分为MOSFET，输出级为双极结型晶体管，因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点：高输入阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达10～40kHz（比电力晶体管高），饱和压降低（比MOSFET小，与电力晶体管相当），电压、电流容量较大，安全工作区较宽。目前2.5kV、3.3kV、4.5kV、800～2.4kA的IGBT都有产品，可供几千kVA以下的高频电力电子装置选用。IGCT只要求有正、负脉冲电压控制其通、断状态。
电压型驱动器件的驱动功率都远小于SCR、GTO晶闸管和BJT等电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠，开关过程损耗小，允许的工作频率高。
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