测试干扰因素对电阻率测量结果的影响

（1）热探针法

1）一些高电阻率的硅和锗试样，由于其电子迁移率高于空穴迁移率，在热探针的温度下大多呈现为本征半导体材料。因此，在此温度下其热电动势总是负的。

2）热探针上覆盖有氧化层，会造成不可靠的测试结果。

3）探针压力不足，室温电阻率高于40Ω·cm的n型锗试样，会呈现p型导电类型。

（2）冷探针法

1）应使冷探针上不结冰。在通常大气环境下长期使用，冷探针上结冰后，发现得出错误的结果。

2）冷探针上覆盖有氧化层，会造成不可靠的测试结果。

3）探针压力不足，室温电阻率高于20Ω·cm的n型锗试样，会呈现p型导电类型。

（3）点接触法

1）此方法表示的是试样原始表面的导电类型。试样表面若有氧化层，相当于表面有一层绝缘层，其结果会导致电压表无指示。(www.xing528.com)

2）若大面积欧姆接触不稳定，有时会使表头读数相反；点接触压力较重，可使大面积欧姆接触变成了一个良好的整流接触，也可使表头读数相反。

3）手或其他物品接触试样，所引起的寄生干扰会导致错误读数。

4）不推荐使用化学腐蚀试样表面的方法。各种腐蚀剂和腐蚀操作会引起试样表面特征不可控制的变化。

（4）全类型系统测试法

1）对于电阻率低的材料，使用整流导电类型测试法测定其导电类型时，由于输出信号低，可导致完全错误的结果。对于硅材料，如果输出信号低于0.5V，不推荐使用整流导电类型测试法。

2）对于电阻率很高的材料，采用热电势导电类型测试法，也可能导致完全错误的结果。

（5）若有强光照射试样，以上各种方法均有可能得出错误的读数，特别对高阻试样更是如此。

（6）周围的高频电场也会引起寄生电流，导致错误的结果。