化学抛光样品前的清洗和低温测量条件优化

1.取样

（1）取样部位。除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处，或者直的硅多晶棒离石墨卡头10mm一段外，其他部分均可取样。图10-12示出取样位置。

（2）试样尺寸。直径10～40mm，长度70～200mm。

（3）试样处理

1）在化学丙酮中洗样去油。

2）用化学纯乙醇清洗20～30s后，用电阻率大于10MΩ的去离子水冲洗。

3）在优质纯HF∶HNO₃=1∶（3～5）体积的混合酸液中，腐蚀2min。

4）在第二份优质纯HF∶HNO₃=1∶（3～5）体积的混合酸液中，腐蚀2min。

图10-12 取样位置

5）用电阻率大于10MΩ的去离子水，冲洗样品至中性。

6）将试样用超声波或用去离子水多次煮沸、洗涤、烘干，包装待用。

2.籽晶制备

1）籽晶规格。电阻率大于300Ω·cm的n型﹤111﹥硅单晶。切成5mm×5mm×50mm。

2）籽晶处理。同试样处理。

3.区熔(www.xing528.com)

1）区熔次数。1～2次成单晶。

2）区熔速度。提纯速度6～8mm/min；成晶速度3～5mm/min。

3）熔区高度。等于检验棒直径。

4）熔区行程。大于10个熔区。

5）检验结晶尺寸。直径为（12±2）mm。

4.检验条件 有气氛要求。

1）气氛种类。氢气、氩气或氢氩混合气。

2）气氛规格。露点低于-45℃。氧的质量分数小于5×10^-6。

5.测试方法

1）导电型号的测试。

2）纵向电阻率的测试。采用四探针测量方法测试。

6.检磷电阻率的测值 多晶硅试样经区熔检验后，要求全部成n型单晶。测试结果纵向电阻率曲线分布接近如图10-13所示的理论曲线。取从第一熔区起到检验棒长的80%处的电阻率值，为未扣除基硼补偿的检磷电阻率值。

7.复检 若检验结晶的棒料测试为p型、混合型、电阻率分布很不正常，或者在区熔检验过程中有放花、打火等现象时，均应进行复检。

图10-13 纵向电阻率曲线分布理论曲线