优缺点分析：铸锭法制备多晶硅工艺

相对于直拉单晶硅来说，铸锭多晶硅工艺有下列优缺点。

1.优点

1）设备制造简单，容易实现全自动控制。

2）原料比较广泛，可以利用直拉头尾料、集成电路的废片及粒状硅料等。入炉前要经过喷砂、腐蚀等手段清洗干净。

3）装料量大，产量高，适合大规模生产。

4）硅片大小可以随意选取，如690mm的方锭可以切成125mm的方锭25个；也可切成156mm的方锭16个。

5）利用率高。直拉单晶要切出方锭，必须去掉四方的弓形边料，剩下的有用部分就少了。例如滚磨后直径为152.4mm的直拉单晶棒，用作125mm的方片，每千克长23.3mm；而125mm的铸锭，每千克长27.4mm，多了4.1mm，可以多切10～12片；直拉单晶直径越大，损失就越多。(www.xing528.com)

6）成本低。铸锭450kg硅料只需一台炉子，而相应的直接单晶炉却要六台（每台装料80kg）。六台的备品备件、维修费用要高于一台铸锭多晶硅炉。

2.缺点

1）铸锭的方片为很多小晶粒组成的多晶片，晶粒大小不等，分布不均匀，质量技术指标每片之间难以统一。而直拉单晶的方片整个是一个单晶片，不存在晶界，质量技术指标比较统一。

2）由于熔体表面积大，难于做到横向温度梯度很小，造成结晶界面不平坦，产生很多晶格缺陷；再加上用料较杂，难免带入有害杂质，使少子寿命降低。

3）光电转换效率比单晶片低2%～4%。