多晶硅制造技术综述：SiHCl3法为主流技术

世界上多晶硅制造工艺主要有改良西门子法（闭环式三氯氢硅氢还原法，SiHCl₃法）、铸锭法、硅烷法（硅烷热分解法）、流化床反应炉法、气液沉积法。

1.改良西门子法 SiHCl₃法是用氯气和氢气合成氯化氢；氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅；然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯；提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行化学气相沉淀（CVD）反应，生产高纯多晶硅。SiHCl₃法是生产多晶硅的主流技术，其纯度可达n型2000Ω·cm，安全性相对好，硅纯度完全满足直拉和区熔的要求。

所谓改良西门子法，其改良主要有三个方面：采用大型现代还原炉、回收尾气中的全部物质、采用SiCl₄氢化。

2.铸锭法 将硅料高温熔融后，通过特殊工艺由下而上冷凝结晶，形成正方形的硅锭。

3.硅烷法 由硅烷的制备、硅烷的提纯和硅烷热分解三个步骤制成多晶硅，制造成本较高。(www.xing528.com)

4.流化床反应炉法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料，在流化床（沸腾炉）高温、高压下生成三氢氢硅；将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应，生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气；将制得的硅烷气通入加有小颗粒的流化床反应炉内，进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。

流化床反应炉法生产效率高，电耗低、成本低；但安全性差、危险性大，产品纯度不高。

5.气液沉积法 将反应器中的石墨管温度升高至1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管的内壁1500℃高温处反应生成液体状硅；然后滴入底部，温度降低，变成固体粒状的太阳能级多晶硅。