(1)硅太阳电池光电转换极限效率ηj的计算。以下列条件为前提:太阳光球上的所有元素都以原子的形态存在,整体全部电离。这种元素形态特征导致了太阳光谱具有密度极高的相邻吸收谱线。因此,气态的太阳表层可被近似视为吸收系数为A=1的黑体辐射源。地球表面的平均温度基本保持不变,因此可以认为在太阳表层与地球轨道之间的距离上,太阳作为黑体辐射源与地球保持辐射平衡。
1)日地辐射可以近似视为温度为Ts的黑体与地球组成的模型,模型中黑体与地球之间的距离为日地距离。
2)来自于太阳平面之外的整个立体角4π中的散射光吸收,以及温度为TE的太阳电池热辐射忽略不计。
3)所有满足条件hν≥hνg的光子都被吸收,吸收过程中都伴随激发产生电子-空穴对,产生的载流子对不会过早复合,并且可分离,从而形成产生光电流。
4)太阳光谱AMO,带隙1.1eV。
太阳电池效率的计算如下:
因为所以
式中 ηj———硅太阳电池光电转换极限效率;
Pmj———太阳电池最大极限功率(W);
Pinj———最大入射太阳光功率(W);
rE———地球半径(m),rE=6.38×106m;
rS———太阳半径(m),rS=0.696×109m;
rSE———日地距离(m),rSE=149.6×109m;
ν———频率(Hz);
νg———带隙频率(Hz);
Φp,ν(ν,TS)———当辐射黑体温度为TS时,频率积分区间的光谱光子电流方程(s-1·nm-1);
A———太阳电池面积(m2);
σ———斯忒藩-玻耳兹曼常量(5.67051×10-8W/m2·K4);
TS———太阳表面温度,TS=5800K;
k———玻耳兹曼常数(1.380658×10-23J/K);
h———普朗克常量(J·s);
e———自然对数的底,e=2.718281…;
c0———光速(m/s)。
推导过程略。(www.xing528.com)
图4-1展示了温度为TS=5800K时,以禁带宽度为自变量的硅材料极限转换效率曲线。当硅的禁带宽度为1.1eV,极限转换效率为0.44。
(2)最大转换效率(实验室效率,实测得出)。它是电池最大输出功率与入射光功率之比,即
式中 ηs———实验室效率(%);
Pmp———电池最大输出功率(mW);
Pin———入射光功率(mW);
Imp———最大功率时电流(mA);
Vmp———最大功率时电压(V);
FF———填充因子(%);
Isc———短路电流(mA);
Voc———开路电压(V)。
电池效率可达到21%~25%。
图4-1 硅材料极限转换效率曲线
(3)产业化效率(组件效率,实测得出)。其计算式为
式中 ηz———组件效率(%);
Impz———组件最大功率时电流(A);
Vmpz———组件最大功率时电压(V);
Pmpz———组件最大功率(W);
Pinz———组件入射光功率(W);
FFz———组件填充因子(%);
Iscz———组件短路电流(A);
Vocz———组件开路电压(V)。
组件效率≥20%。
2.寿命 组件寿命≥25年,期末发电量为最初发电量的82%~85%。
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