晶硅太阳电池技术发展现状分析

晶硅太阳电池主流技术在光学方面是金字塔陷光结构，电学方面是扩散制结，电极采用丝网印刷技术。该技术在晶硅太阳电池技术中占到了90%左右，这个技术还在不断地改进，效率也在持续不断地上升。2000年初，丝网印刷电池的效率基本在11%、12%，现在多晶电池都在16%以上，单晶电池在18%以上。

1.制绒（陷光结构）现在的制绒技术已达到微米级，掌控好单晶绒面可以做到3～5μm，已在向亚微米级发展。制绒技术可以在大绒面上再制小绒面，进一步改进表面的减反射效果。制绒工艺也不断改进，由单晶硅制绒溶液制绒，到高沸点酒精代替氢氧化钾制绒，到异丙醇制绒，腐蚀时间已比初期缩短了50%，金字塔结构均匀、细密。

2.扩散（制结）扩散在链式扩散炉中进行。以前的扩散炉都是用开管的炉，现在改成用闭管的炉，采用喷淋技术，污染很少。

3.离子注入（制结）离子注入设备可以控制均匀性，材料含量（质量分数）控制在2%以内，p-n结方块电阻可做到90～100Ω，使短波响应、转换效率都得到改进。

4.丝网印刷

1）单次印刷改成两次印刷。两次印刷技术在对准上可以对到±10μm范围内。(www.xing528.com)

2）激光转移印刷。印刷机通过激光转移把银浆转移到硅片上去，不产生接触和压力，图形很容易在薄的硅片上形成，效率也很高。

5.材料的开发

1）铜部分代替银，可以降低成本。

2）太阳电池稳定性改进。用钾来代替硼，使初始衰减非常低；用铸造方法来形成准单晶（介于单晶与多晶之间），效率达18.2%，功率达290W，可以降低成本。