电力场效应晶体管（MOSFET）技术优化方案

电力场效应晶体管（MOSFET）即功率（Power）场效应晶体管（P-MOSFET）。在电子技术中已经学习过，由于其特殊的结构，场效应晶体管具有以下特点：由于是电压控制器件，驱动功率极小，输入电阻极高（10⁹～10¹⁴Ω），工作频率高，无二次击穿，热稳定性好，安全工作区宽等。

1.电力场效应晶体管（MOSFET）模型

电力场效应晶体管（MOSFET）的模型图标如图3-32所示，其内部有个反并联二极管与可任意设置的阻容吸收回路，其符号、封装、等效电路与伏安特性如图3-33所示。

图3-32 电力场效应晶体管（MOSFET）的模型图标

图3-33 电力场效应晶体管（MOSFET）的符号、封装、等效电路与伏安特性

由图3-33可知，当漏极与源极之间有正电压（U_ds>0），同时门极（或称栅极）有一正信号（U_g>0）时，MOSFET导通。当门极信号U_g=0时，MOSFET关断。另外，如果漏极电流I_d反向，即I_d正向流过内部二极管，并且U_g=0，当I_d下降为0时（I_d=0），则MOSFET关断。请注意等效电路中有一模型可变电阻R_t。

2.电力场效应晶体管（MOSFET）参数及其设置

MOSFET参数设置对话框如图3-34所示。由图可知，MOSFET参数设置与普通晶闸管参数设置几乎完全相同，但另有几个参数需说明。(www.xing528.com)

图3-34　MOSFET参数设置对话框

“FET resistance Ron（Ohms）”：MOSFET导通电阻R_on（Ω），当漏极电流I_d>0，R_t=R_on。

“Internal diode inductance Lon（H）”：MOSFET内部二极管电感L_on（H）。

“Internal diode resistance Rd（Ohms）”：内部二极管电阻R_d（Ω），当漏极电流I_d<0，R_t=R_d。

“Internal diode forward voltage Vf（V）”：内部二极管门槛电压U_f（V）。

当不勾选“Show measurement port”复选框与取消吸收电路时，电力场效应晶体管（MOSFET）的模型图标如图3-32b所示。

对有MOSFET模型的电路仿真时，也宜采用Ode23tb与Oder15s算法。