如何选择MOSFET？

开关电源和LED恒流驱动的应用中，一般都用NMOS。功率场效应晶体管（MOSFET）是用栅极电压来控制漏极电流的，显著特点是驱动电路简单、驱动功耗小、开关速度快、工作频率高。MOSFET导通和截止时，一定不是在瞬间完成的。MOSFET两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内MOSFET产生的损耗，是电压和电流的乘积，叫做开关损耗。通常开关损耗比导通损耗大得多，而且开关频率越快，损失也越大。在LED恒流源设计中要注意频率的选择，降低损耗，但也要兼顾杂声的出现。

注意：功率管MOSFET的工作频率的下降时间主要由输入回路时间常数决定。(www.xing528.com)

瞬间短路电流的产生通常是由于驱动电平脉冲的上升或下降过程太长，或者传输延时过大。瞬间短路电流会显著降低电源的效率，是MOSFET发热的原因之一。MOSFET导通时需要栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。4V或10V是常用的MOSFET的导通电压，设计时需要选择合适。合适的门电压会使得导通时间快，导通电阻小。目前市场上也有低电压驱动MOSFET，但耐压都较低，可以选择用在串接要求不是很高的场合。常用LED驱动MOS-FET有VN2204、VN3205、IRFL014、IRF840、2SK2545、IRFB20N50K等。