深度解读1.15瓦特8LED驱动器的特点

（1）输入EMI滤波和保护

熔体F1可以在元器件发生严重故障时提供保护，而RV1（MOV）可提供箝位以限制元器件在差模浪涌期间的最大电压应力。MOV的使用在此设计中非常关键，因为输入电容的容值很低。由于电容值很低，在设定的差模浪涌发生时会使得整流总线电压（C2两端）显著升高。所选器件的额定电压为AC 275V，略高于最大指定工作电压AC 265V。二极管桥堆BR1对AC线电压进行整流，电容C2为一次侧开关电流提供低阻抗通路（去耦）。为使功率因数保持在0.9以上，需要确保较低的电容（C1、C2和C3总和）值。EMI滤波功能由电感L1、L2、L3和L4以及C1和有Y1安全要求的C8提供。L2、L3和L4两端的电阻R1、R2和R3可抑制输入电感、电容和AC输入阻抗之间在传导EMI升高时可能出现的任何共振。

（2）LinkSwitch-PH一次侧

二极管VD1和C3检测峰值AC线电压。此电压通过R5、R6和R7转换为电流并注入V引脚。器件也会利用此电流来设置输入过电压／欠电压保护阈值。V引脚电流和FB引脚电流在内部用来控制平均输出LED电流。LinkSwitch的非调光模式通过R引脚上的24.9kΩ电阻进行选择。在非调光配置下，LinkSwitch-PH在整个输入电压范围内对电源进行优化，保证在整个输入电压范围内保持恒定的输出电流。电阻R8还用于设置内部参考，以选择输入电压渐升和渐降过程以及输入过电压保护的工作阈值。电阻R7进一步提供线电压补偿，在此设计中线电压调节率达到±3％。反激式变压器一端连接到DC总线，另一端由U1中的集成的725V功率MOSFET驱动。在功率MOSFET打开期间，一次电流升高，将能量存储在变压器中。这些能量在功率MOSFET关闭时传递到二次绕组。为减小高度，使用EER25磁心；同时使用带有飞线的3层绝缘二次绕组以满足安全间距要求。由于功率MOSFET关闭时漏极会出现漏感电压尖峰，二极管VD2、R17、

图2-25 电路原理图

C12和R18将漏极电压加以箝位，保证漏极电压在安全范围以内。当一次绕组两端的电压（VOR或反激电压）超过C2两端的电压和瞬态AC正弦波时，需要借助VD3防止LinkSwitch-PH器件上产生反向电流。(www.xing528.com)

（3）偏置绕组和输出OVP检测

二极管VD5、C5、R13和R11利用变压器的反馈绕组产生直流电压。此电压通过D4和R9向U1的旁路引脚供应工作电流。电容C4对旁路引脚进行局部去耦。在启动期间，内部连接至漏极引脚的高压恒流源对此电容充电至约6V。在充电后，存储的能量用于为U1供电，直到输出达到稳定状态。二极管VD6、R16、C7、R14、VR2、C6、R12和V1提供负载开路保护功能。如果断开输出负载，输出电压将会升高，导致偏置电压上升，C7上的电压也随之升高。使用单独的二极管和低值电容（VD6和C7）对偏置绕组进行整流是为了缩短触发0V之前的延时，从而限制最大输出电压。一旦C7上的电压超过VR2设置的阈值（约为33V），V1将会偏置，使进入FB引脚的电流降到自动重新启动阈值以下。一旦进入自动重新启动模式，开关将交替停止和开启，确保输出电压在重新连接负载之前一直处在可接受的限制内。这样可以避免在生产测试时负载断开的情况下可能出现的过高电压对电容C9和C10造成的损坏。

（4）输出电压检测

与输出电压成比例的电流通过R10从一次侧偏置供电注入至反馈引脚。此电流与V引脚电流一起用于确保平均输出电流在输入和输出电压发生变化时保持恒定。

（5）输出整流

二极管VD7对二次绕组进行整流，电容C9和C10对输出进行滤波。用作假负载的R15，可限制空载情况下的输出电压。电感L5用于降低辐射EMI。