【摘要】：采用聚碳硅烷制备连续SiC自由膜分为自由原膜拉制、原膜不熔化预处理和烧结三个主要步骤。取出喷膜装置，立即放入小型熔融纺丝机，设置纺膜温度265℃，然后进行纺聚碳硅烷薄膜。把熔融的连续聚碳硅烷自由原膜拉制出来，缠绕在卷丝筒上。
采用聚碳硅烷制备连续SiC自由膜分为自由原膜拉制、原膜不熔化预处理和烧结三个主要步骤。
1.聚碳硅烷自由原膜拉制
称取少量的聚碳硅烷固体放入喷膜装置中后放入脱泡炉内，按一定的温度制度进行升温：以2.5℃/min的速率从室温升到270℃，再以1℃/min的速率升到290℃，保温3h。取出喷膜装置，立即放入小型熔融纺丝机，设置纺膜温度265℃，然后进行纺聚碳硅烷薄膜。把熔融的连续聚碳硅烷自由原膜拉制出来，缠绕在卷丝筒上。图7-1所示为经过脱泡、熔融纺膜成型的连续聚碳硅烷自由原膜。薄膜可均匀地缠绕在卷丝筒上，其长度大于500m，具有连续特性。膜厚度可通过调节喷丝板尺寸大小和纺膜速度进行控制。
2.原膜不熔化预处理（氧化交联）
把样品放入高温管式炉中，通入空气，流量为200mL/min，设置升温程序：以3℃/min从室温升到100℃，以0.25℃/min从100℃升到190℃，在190℃保温3h，自然炉冷后取出。
3.烧结(www.xing528.com)
把经过预处理过的一部分样品放在石墨纸载样台上，放入高温管式炉内，通入高纯氮气，流量为200mL/min，设置升温程序：以5℃/min从室温升到200℃，2℃/min升到600℃，1℃/min升到850℃，1.5℃/min升到1000℃，再以1℃/min升到1200℃，在1200℃保温2h，自然炉冷后取出，即可制得连续SiC自由薄膜。
图7-1 连续PCS自由原膜
注：该图取自参考文献[185]
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