【摘要】：由于陶瓷薄膜具有良好的热稳定性、抗氧化性以及其他优良性能而受到人们的重视。下面以连续SiC自由膜为例，介绍先驱体法制备陶瓷薄膜的工艺。厦门大学的姚荣迁等[184]采用聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜，得到缺陷较少的高质量连续SiC自由薄膜，并且具有工艺温度较低、产品的成分和结构可控、成本低、质量高、性能好、厚度可调节及连续自由等特点。这一工艺的开发，为进一步发展SiC在高温、强辐射光敏器件领域中的应用奠定基础。
由于陶瓷薄膜具有良好的热稳定性、抗氧化性以及其他优良性能而受到人们的重视。有机硅聚合物制备的陶瓷薄膜一般致密、无裂纹存在，高温性能良好，且工艺简单、对设备要求较低。已进入实用阶段的有SiO2膜、SiC膜、Si3N4膜等，Si—C—N、Si—B—N、Si—B—C—N、Si—B—N—O等薄膜以及一些具有特殊光电性质的陶瓷薄膜材料也正在研制之中。下面以连续SiC自由膜为例，介绍先驱体法制备陶瓷薄膜的工艺。
SiC材料具有禁带宽度大、击穿电压高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学特性，成为制造短波长光电子器件、抗辐照器件和大功率高频电子器件最重要的半导体材料[183，184]。此外，SiC薄膜被认为是一种很优异的高温结构材料和耐火材料，除用作耐磨镀层及涂装材料外，还可广泛应用于地面核反应堆的监控、石油勘探、环境监测及航空、航天、雷达等领域中。(www.xing528.com)
厦门大学的姚荣迁等[184]采用聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜，得到缺陷较少的高质量连续SiC自由薄膜，并且具有工艺温度较低、产品的成分和结构可控、成本低、质量高、性能好、厚度可调节及连续自由等特点。这一工艺的开发，为进一步发展SiC在高温、强辐射光敏器件领域中的应用奠定基础。
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