单一先驱体连接表面的致密Cf/SiC复合材料

由化学气相渗透（CVI）法制得的C_f/SiC复合材料，连接端面存在一定厚度的SiC层。这种端面需要连接的情况在实际应用中也较为常见，因而有一定的实用意义。

连接实验的过程与先驱体法连接单一陶瓷材料基本相同。首先将化学气相渗透法制备的三维四向C_f/SiC复合材料带有SiC层的端面进行连接前预处理：抛光—清洗—烘干。然后将聚硅氮烷均匀地涂抹到试样的连接端面，叠加后放入真空炉中，施加一定的轴向压力。首先于250℃保温60min，使聚硅氮烷完成交联固化，再以3℃/min的速率升温至1100～1400℃，保温120min，然后以同样的速率缓慢冷却。连接完成后再将连好的试样进行1～3次浸渍—裂解增强处理。

实验结果表明，在1100～1400℃范围内，随着连接温度的升高，连接强度先升高后降低；连接过程中施加适当的轴向压力能增加连接层的均匀性和致密度；另外浸渍—裂解增强处理可使连接强度大幅度提高，在连接温度为1250℃、连接压力为10kPa的条件下，经三次浸渍—裂解增强处理的连接件抗剪强度达27.8MPa。(www.xing528.com)

图6-18a所示为试样连接区域的微观形貌（连接温度为1250℃）。从图中可以看出，C_f/SiC复合材料的外表面经抛光后仍留有一层厚度约为50～100μm的SiC陶瓷层，使C_f/SiC的连接面仍呈现其基体SiC相的特征。连接层厚度为2～3μm左右，位于C_f/SiC复合材料的表面层SiC基体相之间。图6-18b所示为试样连接界面区域的放大的微观结构形貌。由图中可以看出，连接层结构较为均匀致密，且与母材的界面结合良好。