陶瓷先驱体转化法与陶瓷材料研究发展现状

自从1981年Seishi Yajima等^[173]用聚硼硅氧烷（polyborosilox-ane，PB）连接SiC陶瓷报道以来，人们逐渐开始关注采用陶瓷先驱体聚合物连接陶瓷及陶瓷基复合材料技术。1998年，P.Colombo等^[174]用GE SR350硅树脂作为连接材料连接反应烧结SiC，在1200℃连接时抗弯强度达220MPa，抗剪强度为39MPa。另外Ander-son及U¨nal等^[175]采用硅-乙炔聚合物，加入活性填料，在氩气中连接SiC_f/SiC复合材料，测得其室温抗弯强度平均值为95MPa。表6-2列出了部分文献报道的用先驱体连接SiC基陶瓷材料的强度数

表6-2用陶瓷先驱体连接SiC基陶瓷材料的强度数据^[176]

注：CVI：化学气相浸渗。

LPI：液态聚合物浸渗。(www.xing528.com)

据^[176]。此外，P.Colombo等人还初步尝试了用先驱体连接氧、氮、碳基陶瓷，结果表明，选用SR350硅树脂可以实现以上种类的陶瓷的连接，其中在连接Al₂O₃试样时得到的接头强度最高，其抗剪强度最大值为24.4 MPa，连接C_f/C所得的强度值最低，具体实验数据见表6-3^[176]。

表6-3用陶瓷先驱体连接不同试样的抗剪强度值^[176]

随着陶瓷先驱体的研制和开发，先驱体转化法连接陶瓷材料技术不断发展，近年来本书作者刘洪丽^[177]及国防科技大学的所俊等^[178]在采用先驱体法连接SiC陶瓷及其复合材料方面做了较多的工作。