配电变压器的电气试验方法总结

1.绕组直流电阻测定

绕组电阻可采用电桥法和电压降法测定。电阻值在10^-5～1Ω选用双臂电桥，电阻值在1～10⁶Ω选用单臂电桥。用压降法时则以2～12V蓄电池作电源，电压表和电流表的接线应按被测阻值的大小分别按图2-37a、b直接接在被测绕组的端子上。先接通电源，且待电流稳定后再接入电压表。在切断电源前，先切断电压表。所测的电阻值R_θ=U/I。

绕组电阻的测量要在绕组温度θ与环境温度一致的状态下进行，所以测试的电流应小于绕组额定电流的20%，以免因绕组发热而引起误差。测量值R_θ要以温度换算系数K_θ换算为参考温度下的阻值，即由环境温度θ°C下的阻值R_θ换算到75°C下的阻值R₇₅°_C，换算见式（2-15）。

温度换算系数是大于1的数值，表明绕组电阻是随温度升高而增大的。其中，θ为测量时绕组的温度；α是导线材料温度系数，铜为235，铝为225。

1.6MV·A及以下的变压器，直流电阻相间差别一般不大于三相平均值的4%，线间差别一般不大于三相平均值的2%。

图2-37 用压降法测量绕组电阻的原理图

a）测量小电阻（<1Ω） b）测量大电阻（>1Ω）

2.绝缘电阻及吸收比测定

用绝缘电阻表测量变压器的绝缘电阻（高压绕组对地、低压绕组对地、高压绕组对低压绕组），检查是否合格；油浸式变压器绝缘电阻的允许值见表2-26。

表2-26 10kV油浸式变压器绝缘电阻的允许值（单位：MΩ）

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注：1.高压绕组对低压绕组和高压绕组对地用2500V绝缘电阻表。

2.低压绕组对地用1000V绝缘电阻表。

电介质在直流电压作用下，内部通过稳定的泄漏电流，此时电压与电流的比值等于该介质的绝缘电阻，一般用绝缘电阻表摇测60s时所读取的R₆₀数值。绝缘电阻值随温度等因素而变化。

大型变压器需测量吸收比。因为任何绝缘体加上直流电压后，所通过的电流都是由充电、吸收和泄漏三种电流组成，前两种电流是衰减的且与绝缘体的受潮程度等有关，所以吸收比R₆₀/R₁₅应不低于1.3（10～30°C范围），否则可能是绝缘体受潮所致。

测量绝缘电阻应尽量在油温低于50°C时进行，不同温度下的绝缘电阻值一般可按下式换算：R₂=R₁×1.5（t1^-t2）/10，其中R₁、R₂分别为t₁、t₂时的绝缘电阻值。换算公式表明绝缘电阻随温度升高而减小。

3.电压比试验

绕组所有分接头的电压比试验可以用电压比电桥测量，电阻分压式电压比电桥是用分压器与一对绕组电压平衡而测得电压比的。也可以用双电压表法测量，一般在低压施加100V电压，测量高、低压侧电压，计算电压比。测试电压在35kV以下，电压比小于3的变压器，电压比允许偏差为±1%；其他所有变压器，额定分接头电压比允许偏差为±0.5%。其他分接头的电压比在超过上述允许偏差时，应在变压器阻抗电压值（%）的1/10内，但不得超过±1%。

4.tanδ的测定

绝缘介质在交流电压作用下，不仅有泄漏电流产生的损耗，还有介质中的偶极子克服周围牵制力而转动和离子位移时因摩擦产生的损耗，这三种损耗称为介质损耗。一定绝缘材料中的介质损耗与介质损失角的正切值tanδ成正比，为比较不同产品的介质损失大小，通常以介质损失率tanδ%来相对表示，tanδ%是判断绝缘介质好坏的一项重要指标。

介质损耗率正切tanδ%一般采用西林电桥（如国产QS1型交流电桥）试验器进行测量，尽量在油温低于50°C时进行，不同温度下的tanδ值可按下式换算：tanδ₂=tanδ₁×1.3^{（t1-t2）/10}，其中tanδ₁、tanδ₂分别为t₁、t₂时的tanδ值。tanδ%随温度升高而增大。温度为20°C时35kV及以下的电力变压器，tanδ%不大于1.5%。

5.变压器油的试验

变压器油的试验项目及要求，按DL/T 596—1996《电力设备预防性试验规程》进行。