【摘要】：光电导检测器是利用半导体光电效应的原理制成的，当红外光照射到半导体元件上时，它吸收光子能量后使非导电性的价电子跃迁至高能量的导电带，从而降低了半导体的电阻，引起电导率的改变，所以又称其为半导体检测器或光敏电阻。光电导检测器使用的材料主要有锑化铟、硒化铅、硫化铅、碲镉汞等。光电导检测器的结构简单、成本低、体积小、寿命长、响应迅速。与气动检测器相比，它可采用更高的调制频率，使信号的放大处理更为容易。
光电导检测器是利用半导体光电效应的原理制成的，当红外光照射到半导体元件上时，它吸收光子能量后使非导电性的价电子跃迁至高能量的导电带，从而降低了半导体的电阻，引起电导率的改变，所以又称其为半导体检测器或光敏电阻。
光电导检测器使用的材料主要有锑化铟（InSb）、硒化铅（PbSe）、硫化铅（PbS）、碲镉汞（HgCdTe）等。
红外线气体分析器大多采用锑化铟检测器，也有采用硒化铅、硫化铅检测器的。锑化铟检测器在红外波长3~7 μm具有高响应率（响应率即检测器的电输出和灵敏面入射能量的比值），在此范围内CO、CO2、CH4、C2H2、NO、SO2、NH3等几种气体均有吸收带，其响应时间仅为5×10-6 s。(www.xing528.com)
光电导检测器的结构简单、成本低、体积小、寿命长、响应迅速。与气动检测器（薄膜电容、微流量检测器）相比，它可采用更高的调制频率（切光频率可高达几百赫兹），使信号的放大处理更为容易。它与窄带干涉滤光片配合使用，可以制成通用性强、快速响应的红外分析器。其缺点是半导体元件的特性（特别是灵敏度）受温度变化影响大，一般需要在较低的温度（77~200 K不等，与波长有关）下工作，因此需要采取致冷措施。
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