在超大规模集成电路（ULSI）工艺中，晶片清洗的技术及洁净度（cleanliness），是影响晶片生产工艺成品率（yield）、元件的品质（quality）及其可靠度（reliability）最重要的因素之一。尤其当工艺技术进入到深亚微米0.35μm以下的领域，器件（devices）密度达数千万至十亿个以上，工艺流程超过数百个步骤。这样紧密复杂的产品，需要非常洁净的晶片表面来制作。因此，如何清洗晶片，以达到超洁净度的要求，是ULSI半导体生产工艺中最重要、最严谨的步骤之一。
在晶片的清洗过程中，需要用到很多高纯度的化学用品来清洗，高纯度的去离子纯水（DI water）来漂洗（rinse），最后用高纯度的气体（如氮气N2）高速脱水旋干；或用高挥发性的有机溶剂（如异丙醇-IPA）来除湿干化。早期的晶片的清洗技术如RCA晶片清洗配方，是利用高纯度的湿式化学清洗（wet chemical cleaning），已经沿用了30多年，并未有太大的改变，只是在化学配方（Ratio）及清洗顺序（sequence）方面做了细微的修改调整。如将SC1（NH4OH∶H2O2∶DI=1∶1∶5）的比例更稀释低浓度到（0.05∶1∶5）。而且目前也正在研究开发先进的清洗工艺技术，如干洗工艺技术（dry clean），气相清洗工艺（vapor cleaning process），以更符合ULSI工艺发展的需求。
清洗的目的主要是清除晶片表面的污染，如微粒、有机物及无机物金属离子等杂质，这些杂质污染源，主要来自环境、机台设备、水、化学物品及容器等。
表9-10列出各种污染源对电子元件的影响。在ULSI工艺中，栅氧化层的（gate oxide）的厚度已低于10 nm，尚需考虑清洗后晶片表面的微粗糙度及自然氧化物（native oxide）消除，以达到半导体元件超薄栅极氧化层的电性参数及特性，并达到元件的品质及可靠度。在ULSL工艺中，硅晶片在进入高温炉管进行扩散或氧化热工艺之前、化学气相及薄膜淀积之前，或刻蚀工艺后，晶片均需要进行化学清洗、超纯水漂洗及最后除湿干化。只有晶片表面达到非常高的洁净度，才能使制作出来的半导体电子元件，符合所设计的电气特性。
清洗的目标包括清洗过程本身的清理、有机污染去除、金属的去除、自然氧化物去除。(www.xing528.com)
表9-10 各种污染源对电子元件的影响
（续表）
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