湿式清洁技术与化学品的最佳搭配

湿式清洁技术自60年代RCA公司研发出来后使用至今已有30多年。虽然目前有许多新的清洁方式推出，然而RCA清洁技术仍被广泛使用，这是可能有效地去除在晶片表面的各式污染源，并不会对晶片产生缺陷或刻痕，且使用操作方便安全，因此被广为采用。以下则针对RCA洁净技术及其他湿式新洁净方式做简要说明：

1.RCA standard clean 1（SC-1，又称APM），NH4OH/H2O2/H2O

主要应用在微粒子的清除。利用NH4OH的弱碱性来活化Si晶片表层，将附着于表面的微粒子去除，此外NH4OH具强化合力，也可同时去除部分金属离子。一般是以NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶5的体积比例混合液在70℃温度下进行5分钟的浸泡清洗。

2.RCA standard clean 2（SC-2，又称HPM）HCl/H2O2/H2O

该工序主要应用在金属离子的去除，利用HCl所形成的活性离子易与金属离子化合的原理。一般是清洗液以HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶6的体积比例混合液在70℃温度下进行5～10 min的浸泡清洗。

3.Piranha clean（SPM）H2SO4/H2O2

主要应用在有机物的去除，利用H2SO4的强氧化性来破坏有机物中的碳氢键结。一般是以2∶4∶1的体积比例混合液在130℃温度下进行10～15 min的浸泡清洗。(www.xing528.com)

4.Dilute HF清洗工序（DHF）HF/H2O

主要应用在清除硅晶片表面自然生成的二氧化硅层，由于此氧化物层厚度有限（约为11.5 nm），一般均使用经稀释处理的氢氟酸（以HF 1%最为普遍）在室温下与SiO2形成H2SiF6的方式去除，清洗时间一般在15～30 s。

在完成上述湿式清洁技术程序后，可以IPA来进行蒸气干燥，以避免在晶片表面上流下水痕。此外为了能更有效地对微小线宽元件进行湿式工艺，添加界面活性剂（Surfactant）降低表面强力，加强润湿（Wetting）效果并保持晶片平坦度，也成为重要的内容。

5.干式清洁技术与化学品

如在前言部分所叙述干式清洁即所谓的气相清洁技术，是利用臭氧（O3）、氢氟酸（HF）及盐酸（HCl）达到和RCA溶液相同的洁净效果。例如去除有机物，在RCA中可用硫酸或氨水，但在干式中可用臭氧取代；去除二氧化硅，RCA用稀释氢氟酸，但在干式中用气态氢氟酸来取代；去除金属杂质RCA用盐酸水溶液，在干式中用气态盐酸取代，而且干式清洁在集成电路各式工艺模组，基本上全都可以应用，未来0.25μm或以下的工艺，它将扮演一个很重要的角色。