将几个前后相关的生产工序集成于一个系统内完成，对处理过程的质量与制作成本都有利。因为晶片能够得到迅速处理并能在真空环境下传送，避免暴露在空气中受污染，这样能提高产品合格率并减少设备装置的占地面积。如微影（photo）区Tracker机台与stepper机台的串联，使得上光阻、曝光及显影能在一连串生产单元完成。而集成制造室（Multi-Chambers）的设备设计更能使得集成式生产得以实现。金属蚀刻工艺可与去光阻工艺集成在一个系统内、金属溅镀设备加装清除氧化物的生产室，使清洗与PVD的工序可在同一系统内完成；可初步达到生产设备的集成。
图8-22 集成制造室中心平台
目前，POLY/WSix集成式的生产已成功地实现，如图8-22所示。此平台可配置两个POLY及两个WSix制造室。POLY制造室可进行多晶硅的淀积及掺杂。目前，由淀积多晶硅及钨硅化物而衍生的化合物已被广泛应用在DRAM位线结构和门电路等方面。一般而言，多晶硅的淀积过程是在低压化学气相（LPCVD）淀积炉中进行，然后再利用扩散炉或离子注入器来进行掺杂。WSix都是由化学气相淀积法由SiH4和WF6淀积而获得。传统上多晶硅/WSix制造需要经过五个过程/五种设备，整个过程中晶片会在各个不同的独立系统间传送。这五个步骤是：①多晶硅淀积；②多晶硅掺杂；③HF湿洗；④HF气洗；⑤WSix淀积。(www.xing528.com)
如图8-23所示，多机台占地面积显然比集成型机台大得多，处理步骤越多越容易引起设备或生产组件产生缺陷，并明显延长了生产周期。相反地，将多晶硅淀积、多晶硅掺杂与WSix淀积等过程集成在一个真空系统中完成便能经济有效地解决传统多晶硅/WSix薄膜制造上的种种问题。将各种生产工序集成在一个真空系统中进行可减少处理步骤、减少微粒污染和生产所需的材料数量、简化设备资本的投入及加快生产周期。迈入新的生产制造技术纪元，集成设备及生产的研究开发的确是降低企业成本、提高产品合格率的重要努力方向。
图8-23 传统型与集成型Poly/WSix生产的设备占地面积比较
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