【摘要】：与扩散有关的参数主要是薄层电阻、扩散结深、杂质分布，本节仅做简单介绍。欲知详细请查阅有关资料。图7-11四探针法测薄层电阻装置图7-12电阻值与硅中杂质浓度关系2.扩散结深测量扩散结深常用磨角染色法和磨槽染色法测量，如图7-13所示。实际上扩散在硅表面的垂直方向进行外，还将进行横向扩散，横向扩散的宽度为0.8xj，这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。
与扩散有关的参数主要是薄层电阻、扩散结深、杂质分布，本节仅做简单介绍。欲知详细请查阅有关资料。
1.薄层电阻测量
薄层电阻（方块电阻）测量广泛采用四探针测试，如图7-11所示。
它是电流经过外面二根探针，中间二根探针测量电压，有公式
式中C是修正因子，在测待测样品探针间距时，C值为固定值4.53。而样品较小时，则要查得相应的C值代入式（7-11）计算，电阻值RS与浓度的关系如图7-12所示。
图7-11 四探针法测薄层电阻装置
图7-12 电阻值与硅中杂质浓度关系(www.xing528.com)
2.扩散结深测量
（1）扩散结深常用磨角染色法和磨槽染色法测量，如图7-13所示。
图7-13 磨角染色法和磨槽染色法测量
（a）斜面放大法，用来测量结面深度（b）利用圆形或圆柱研磨成凹面，用来测量结面深度
（2）显结液如下：
对p-n结显示P区，用HF∶HNO3∶H2O=500∶1∶500，红外灯照1 min后，P区变暗。
对n-p结显示N区，用CuSO4·5H2O∶HF∶H2O=5 g∶2 ml∶50 ml，红外线照10 s，N区染上铜。
实际上扩散在硅表面的垂直方向进行外，还将进行横向扩散，横向扩散的宽度为0.8xj，这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
