如前面所述，在等离子体刻蚀中常伴随着离子轰击和辐射，这些现象将对器件造成伤害。在RIE系统中，常见的损伤有：①刻蚀产物的二次淀积；②等离子体中的离子进入轰击材料中成为杂质；③离子轰击破坏材料的结构，导致材料晶格变形；④天线效应。等离子体电荷积累损伤，等离子体由于局部电荷的不均匀，造成电荷积累在面积很大或边长很长的导体（如多晶硅或Al）上，这些电荷将在很薄的栅极氧化层产生电场。当电场进一步增大后，会导致氧化层击穿，造成损伤。
导体与栅极氧化层之间的面积/边长比称为天线比，一般而言，天线比越大，所造成的损伤越严重。这是因为天线比越大，导体所收集到的电荷越多，相对的施加在栅极氧化层上的电场也越大。另外，过度刻蚀时间越长，损害也越严重，这是因为电流贯穿栅极氧化层的时间较长，产生更多的缺陷。天线效应根据工艺上的不同可分为两种，一是面积效应，如光刻胶灰化。当光刻胶去除时，整个导体暴露在O2等离子体中，电荷由导体表面收集，因此导体面积愈大，所收集到的电荷愈多，称为面积效应。另一种是边长效应。例如多晶硅与Al的刻蚀，此时导体表面被光刻胶覆盖而不受电荷累积的影响，然而当刻蚀接近终点时，部分的导体因为太薄导致电阻变高，过量的电荷将经过栅极氧化层传入Si基材中，如图6-14（a）所示。另外，电荷也可能经由导体的侧壁累积在栅极氧化层上。这些损坏随着导体边长变长而变得越来越严重，因而称为边长效应。多晶硅刻蚀时所造成的损伤可利用壕沟技术（trenching）来解决，如图6-14（b）所示。这种方法通过改变刻蚀多晶硅的条件，使壕沟现象发生在多晶硅与场氧化层之间，切断电荷流向栅极的路径，过量的电荷便无法贯穿栅极氧化层，从而达到保护栅极氧化层的目的。
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图6-14 壕沟技术
（a）边长效应的等离子体导致损坏机制（b）能够避免等离子体导致损坏的壕沟技术
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