【摘要】：由于光化学反应后的光刻胶呈酸性，显影液采用强碱溶液。光刻胶薄膜经过显影过程后，曝过光的区域被显影液洗去，掩膜板的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。显影液喷淋后需要在硅片表面停留一段时间，一般为几十秒到一两分钟，目的是让显影液与光刻胶进行充分反应。显影液去除并且清洗。在显影液停留完后，显影液将被甩出，而去离子水将被喷淋在硅片表面，以清除残留的显影液和残留的光刻胶碎片。
在后烘完成后，硅片会进入显影步骤。由于光化学反应后的光刻胶呈酸性，显影液采用强碱溶液。一般使用体积比为2.38%的四甲基氢氧化镀水溶液（tetra methyl ammonium hydroxide，TMAH），分子式为（CH3）4NOH。光刻胶薄膜经过显影过程后，曝过光的区域被显影液洗去，掩膜板的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。显影工艺一般有如下5个步骤。
（1）预喷淋（pre-wet）。通过在硅片表面先喷上一点去离子水（DI water），以提高后面影液在硅片表面的附着性能。
（2）显影喷淋（developer dispense）。将显影液输送到硅片表面。为了使得硅片表面所有地方尽量接触到相同的显影液剂量，显影喷淋便发展了以下几种方式。如使用E2喷嘴，LO喷嘴，等等。
（3）显影液表面停留（puddle）。显影液喷淋后需要在硅片表面停留一段时间，一般为几十秒到一两分钟，目的是让显影液与光刻胶进行充分反应。(www.xing528.com)
（4）显影液去除并且清洗（rinse）。在显影液停留完后，显影液将被甩出，而去离子水将被喷淋在硅片表面，以清除残留的显影液和残留的光刻胶碎片。
（5）甩干（spin dry）。硅片被旋转到高转速以将表面的去离子水甩干。
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