【摘要】：当掩模版尺寸小于或接近曝光光线波长时，由于光的衍射作用，不透光区域所遮挡的光刻胶也会受到照射。图4-11PSM移相掩模技术没有PSM时衍射光束光的干涉，在两束光线的邻近处，因为光的相位相同，光的强度是叠加的有PSM时的两束衍射光的干涉，因为光的相位移动，邻近的两道光线相位相反，导致在邻近处光强相互抵消，从而得到清晰的两条邻近曝光光线
理想情况下，在掩模版不透光区域的地方，光透射光强为0，掩模版透光区域地方透射光强为100%。当掩模版尺寸小于或接近曝光光线波长时，由于光的衍射作用，不透光区域所遮挡的光刻胶也会受到照射。当透光的两个区域距离很近时，从这两个区域衍射而来的光线在不透光处发生干涉。由于两处光线的相位相同，干涉使光强增加，当光强达到或超过光刻胶的临界曝光剂量时，不透光处的光刻胶也会发生曝光，这样相邻的两个图形之间将无法分辨，如图4-11（a）所示。在光刻版上加入移相掩模技术（PSM，phase shift mask）之后，对光线的相位转移作用使得在不透光区域发生干涉的两部分临近光线相位相反，这样，邻近处的光强不会叠加，反而由于相位相反而减弱，如图4-11（b）所示。这样不透光区域的光刻胶就不会发生曝光现象，两个相邻的图形之间就可以区分，从而达到了提高分辨率的目的。某种程度上，PSM可近似等效为曝光的波长减了一半，从而使式（4-1）中的分辨率提高了一倍。显然，PSM增加了制版的难度，成本也会相应地提高。
(https://www.xing528.com)
图4-11 PSM移相掩模技术
（a）没有PSM时衍射光束光的干涉，在两束光线的邻近处，因为光的相位相同，光的强度是叠加的（b）有PSM时的两束衍射光的干涉，因为光的相位移动，邻近的两道光线相位相反，导致在邻近处光强相互抵消，从而得到清晰的两条邻近曝光光线
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
