【摘要】：前道工艺以单晶硅片的加工为起点，以在单晶硅片上制成各种集成电路元件为终点。前端工艺最后一步完成后，晶圆上是独立的未连接的晶体管。就现代IC生产工艺来说，后端工艺可覆加超过10层金属薄膜。
1.前端工艺
图3-21 前端工艺流程
集成电路前端工艺，又称前道工艺。前道工艺以单晶硅片的加工为起点，以在单晶硅片上制成各种集成电路元件为终点。主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。具体流程和所用设备如图3-21所示。
2.后端工艺(www.xing528.com)
后端工艺（back end of line，BEOL）是集成电路制造的第二部分，实现各独立器件的金属互联，其中常用的金属材料是铜和铝。后端工艺通常开始于第一层金属材料淀积完成后，包括接触（contact）、阻挡层（insulating layers）等。
前端工艺最后一步完成后，晶圆上是独立的未连接的晶体管。在后端工艺这一步骤完成接触（contacts）、互联（interconnect wires）、通孔（vias）和绝缘层（dielectric structures）的实现。
英特尔公司在1999年推出的奔腾Ⅲ芯片，采用0.18μm工艺，集成晶体管数目2500万个，6层金属互联，联线总长达5 km。
就现代IC生产工艺来说，后端工艺可覆加超过10层金属薄膜。金属薄膜要求实现低电阻互联，形成欧姆接触，与其他介质层的黏附性好，对台阶覆盖率好，结构稳定不易发生电迁移和腐蚀，易刻蚀及制备工艺简单。金属薄膜可以使用物理或化学气相淀积的方法形成。
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