高性能且多功能的1.6模块化器件

1.高压集成电路（High Voltage Integrated Circuits，HVIC） 一般是指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的芯片集成。

2.智能电力集成电路（Smart Power Integrated Circuits，SPIC） 一般是指纵向电力电子器件与逻辑或模拟控制电路的芯片集成。

3.智能电力模块专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的芯片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。

在性能上，它一方面是进一步提高器件的容量和工作频率、降低通态压降、减小驱动功率、改善动态性能，提高现有新颖器件的性价比；另一方面是进行器件的复合化、智能化与模块化，如开发适合于三电平逆变、矩阵控制所需要的复合器件与双向控制器件等。(www.xing528.com)

在基础研究领域，需要进行具有高载流子迁移率、强热电传导性以及宽带隙的新型半导体材料的应用研究，如砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）、锗化硅（SiGe）等，并开发新一代高结温、高频率、高动态参数的电力电子器件。

从应用的角度看，第一代器件中的高压、大电流晶闸管将在电力系统的直流高压输电和无功功率补偿装置中得到延续；第二代器件中的GTO将继续在超高压、大功率领域发挥作用；第三代器件中的电力MOSFET在高频、低压、小功率应用领域仍具竞争优势；而在中高压、中小功率控制场合（如通用变频器），IGBT将保持良好的市场；而第一代器件中的普通晶闸管和第二代器件中的GTR则将逐步被功率MOSFET（600 V以下场合）和IGBT（600 V以上场合）所代替。