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IGBT的选择和保护

时间:2023-06-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:1.4.5.1 IGBT的选择IGBT的选择工作就是使IGBT的性能参数能够满足使用条件,当IGBT应用于通用变频器时,主要的参数选择是电压等级和集电极的电流等级,而其他的参数则很容易确定。IGBT和续流二极管构成逆变环节。

IGBT的选择和保护

1.4.5.1 IGBT的选择

IGBT的选择工作就是使IGBT的性能参数能够满足使用条件,当IGBT应用于通用变频器时,主要的参数选择是电压等级和集电极电流等级,而其他的参数则很容易确定。

通用变频器主电路包括接到交流电网上的二极管整流桥、直流回路电容滤波环节和逆变环节。IGBT和续流二极管构成逆变环节。而逆变环节的输入电压为经过整流滤波后的直流电压,用Ud来表示,则可求得直流电压Ud如下:

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式中 K——电源干扰因子,选K=1.1;

βv——电压安全系数,选βv=1.1;

Uin——输入变频器的交流电网电压(V)。

当直流电压升高,超过一定数量时,应该进行过电压保护,取过电压保护动作值为直流电压的1.15倍;同时考虑到IGBT关断时的电压尖峰脉冲为100V,则IG-BT承受的电压峰值UCEP

UCEP=(1.15Ud+100)βv(1-5)

式中,βv为仍然为电压安全系数,选为1.1。IGBT的阻断电压值UCEOUCEO(sus)应该大于UCEP,由此原则选择IGBT的电压值。

IGBT还需要根据电流等级做出选择,假设变频器的设计容量为P,那么应该有如下关系:

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式中 P——设计容量,即变频器的输出功率(kW);

Io——变频器交流输出的线电流有效值(A);

Uo——变频器交流输出的线电压有效值(V)。

取变频器输出电压比输入电压降低10%,则有

Uo=0.9Uin(1-7)

根据式(1-6)和式(1-7),得到输出的线电流有效值Io

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而电流关系如下:

IC≥2IoK1βI(1-9)

式中 IC——IGBT的集电极电流(A);

Io——变频器输出交流线电流有效值(A);

K1——过载能力,选为1.5倍额定值;

βI——电流安全系数,选βI=1.5。

【例1-1】已知变频器的交流电网输入电压Uin=440V,变频器的设计容量为P=45kW,试选择IGBT的电压和电流等级。

(1)电压等级的选择:根据式(1-4)和式(1-5)有

UCEP=(1.15Ud+100)βv=[(1.15×753+100)×1.1]V=1063V所以,选择1200V的管子可以满足要求。

(2)电流等级选择:根据式(1-6)~式(1-9)有(www.xing528.com)

IC≥(2×1.5×1.5×65.5)A=209A

可见,所选IGBT的集电极电流IC应该大于209A,而IGBT的电流等级为200A和300A。如果设计的变频器的控制对象为风机水泵类负载,可以选200A的管子。如果设计的变频器的控制对象有大起动转矩要求,选300A的IGBT较为合适。对于300A的IGBT,富士公司生产的1200V/300A的管子有2MBI300N-120、2MBI300S-120和2MBI300U-120,均是很好的选择对象。其中U系列为富士电机第五代IGBT模块,针对欧派克KE3、KF3系列开发的采用场终止(FS)新技术的产品,大大地改进了器件的损耗问题。而N系列IGBT在600V电压等级范围内由于其优势依然不减,在交流220V的电源变换产品中仍占有很大的市场。

1.4.5.2 IGBT的保护

为了使IGBT在厂商规定的安全工作区内可靠地工作,必须对IGBT采取必要的保护措施,比如过电流保护、过电压保护、过热保护等,以便增加系统的可靠性

1.过电压保护 由于IGBT的开关频率较高,在IGBT关断或反向续流二极管(FWD)反向恢复时,会产生很大的di/dt,使周边的配线电感产生很大的浪涌电压。关断浪涌电压的峰值可由下式求出:

UCESP=Ed+(-LSdIC/dt

式中 Ed——直流电源电压;

LS——主电路的寄生电感;

dIC/dt——关断时集电极电流变化率的最大值。

UCESP超过反向偏置安全工作区(RBSOA)或UCES时即导致破坏。

抑制产生过电压即抑制浪涌电压的方法有下面几种:

(1)在IGBT中加上保护电路(即缓冲电路),吸收浪涌电压。在缓冲电路的电容器中使用薄膜电容,并配置在IGBT附近,使其吸收高频浪涌电压。

(2)调整IGBT的驱动电路的UGERG,减小di/dt

(3)尽量将电解电容器配置在IGBT的附近,减小配线电感,如果使用低阻抗型的电容器,则效果更佳。

(4)为了减低主电路和缓冲电路的配线电感,配线要更粗、更短,有时在配线中使用铜条。另外进行并列平板配线(分层配线),使配线低电感化将有很大的效果。

缓冲电路分为两种:一种是在所有的器件上1对1地安装缓冲电路;另一种是在直流母线间安装集中式缓冲电路。最近,以简化缓冲电路为目的,采用集中式缓冲电路的情况正在增多。图1-24给出了集中式缓冲电路的两种应用于变频器的实例,对于C缓冲电路,电路结构简单,但是主电路电感与缓冲电容易产生LC谐振,使母线电压产生振荡;采用另一种RC-VD缓冲电路可以降低母线电压的振荡,在母线配线长的情况下效果明显,但是缓冲二极管选择错误时,则会产生高尖峰电压,或者缓冲二极管的反向恢复时电压也可能产生振荡。

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图1-24 集中式缓冲电路实例

a)C缓冲电路 b)RC-VD缓冲电路

2.过电流保护 IGBT在使用中损坏最多的是因过电流而将管子烧坏。导致过电流的原因有许多,表1-3列出了IGBT在通用变频器中产生过电流现象的原因。

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图1-25 电流检测器的安装位置

IGBT在过电流时,瞬间损耗非常高,其速度特别快,不可能像晶闸管那样用快速熔断器来保护,广泛使用的方法是使过电流的IGBT很快截止。要想使它很快截止,就要知道何时管子过电流,这就需要加入电流检测元件。目前,小容量通用变频器的电流检测采用电阻器,中、大容量的变频器采用有电流隔离作用的电流检测器。由于电流检测器安装的位置不同,电流检测准确度和方式也不同。图1-25为通用变频器的基本电路和电流检测器的安装位置。方法①:在逆变侧输入端,仅用一个检测器可检测到表1-3中所列的过电流;方法②:接在变频器的输出端,用单个检测器可高准确度地检测不包括一个桥臂短路造成的过电流,在实际的变频器中,往往仅采用两个电流检测器,而另一路电流可以通过检测的两路计算得出;方法③:与每个IGBT串联,用6个检测器可高准确度地检测出表1-3列出的任何原因引起的过电流现象。

表1-3 变频器的过电流原因

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一般来说,过电流有两种情况:一种是正常过电流,当电流超过设计者限定的电流时,电流检测器检测到过电流信号,反馈给控制电路,使IGBT截止,以减小电流;另一种是不正常的短路,这时来自电流检测器的反馈信号,产生截止信号,使所有的IGBT截止。对于前一种过电流情况,一般的电流检测器如电流互感器即可满足要求,但是对于短路型过电流,其电流上升很快,当电流互感器还没有响应过来,管子可能已经烧坏了。因此,要使用快速电流检测器,如分流电阻器或霍尔元件。在通用变频器中,除了使用电流检测器进行过电流检测之外,还采用某些具有过电流保护功能的驱动电路。图1-26所示是一种典型的过电流保护电路,它的工作原理如下:

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图1-26 过电流保护电路实例

电路通过VD1对IGBT的集电极-发射极间电压进行常时监视,当导通的时段中,IGBT的集电极-发射极间的电压超出VD2设定的电压时,被认为是处于短路状态,则V1导通,V2V3关断。此时,栅极存储的电荷通过RGE缓慢放电,从而抑制了IGBT关断时产生过大的尖峰电压。

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