IGBT主要参数及其作用

通常IGBT的使用手册给出如下的几个主要参数：

1.集电极-发射极额定电压U_CES 这个电压值是厂商根据器件的雪崩击穿电压而规定的，是栅极-发射极短路时IGBT能承受的耐压值，接就是说U_CES值小于等于雪崩击穿电压。

2.栅极-发射极额定电压U_GES IGBT是电压控制型器件，靠加到栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，而U_GES就是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的U_GES值大部分为+20V，在使用中，设计的控制电压值不能超过该值。

3.额定集电极电流I_C 该参数给出了IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前富士公司提供给市场的IGBT模块的电流范围是8～400A。

4.集电极-发射极饱和电压U_CE（sat） 此参数给出IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的的电压降，此值越小，管子的功率损耗越小。富士公司IGBT模块的U_CE（sat）值约为2.5～3.5V。(www.xing528.com)

5.开关频率 在IGBT使用手册中，开关频率是以导通时间t_on、下降时间t_f和关断时间t_off给出的，根据这些参数可估计IGBT的开关频率。新一代的IGBT产品有高速开关系列（富士公司为L系列）和低导通电压系列（富士公司为F系列）。它们的开关时间还与集电极电流I_C、运行温度和栅极电阻R_G有关，当R_G增大、运行温度升高时，开关时间增大，开关频率降低。此外，本节的后面将介绍IGBT的驱动模块，各种驱动模块都有时间延迟，因此，IGBT的实际工作频率都在100kHz以下，即使这样，它的开关频率、动作速度也比BJT快得多，可达30～40kHz。开关频率高是IGBT的一个重要优点。

图1-202 MBI100-060型IGBT模块的输出特性