【摘要】：图4.31和图4.31为两个样品的SEM图,样品中二硫化钼纳米晶的沉积面积超过4 mm2,二硫化钼的单晶畴呈三角形,单边尺寸为75μm。从图中可以发现,样品1和样品2的时域信号振幅与硅基底的振幅大致相同,这说明二硫化钼纳米晶对THz波几乎没有吸收。因此,在没有光泵浦的条件下,二硫化钼纳米晶对THz波几乎是透明的,不对THz波的传输产生任何影响。
利用高压CVD技术,在硅基底上制备了两个二硫化钼纳米晶样品,生长时间分别为6 min和3 min,硅基底厚度为0.46 mm。图4.31(a)和图4.31(b)为两个样品的SEM图,样品中二硫化钼纳米晶的沉积面积超过4 mm2,二硫化钼的单晶畴呈三角形,单边尺寸为75μm。由于生长时间较长,样品1比样品2上有更多的二硫化钼纳米晶。
图4.31 (www.xing528.com)
(a,b)样品1和样品2的SEM图;(c)样品的探测和泵浦装置示意图;(d)空气、硅基底、样品1和样品2的太赫兹时域光谱(信号强度归一化)[10]
这里采用THz-TDS系统测量了两个样品的太赫兹时域光谱。图4.31(d)中不同颜色的曲线分别为空气(作为参考)、硅基底、样品1和样品2的太赫兹时域光谱,为了更好地表示透过率,对信号强度进行了归一化处理。从图中可以发现,样品1和样品2的时域信号振幅与硅基底的振幅大致相同,这说明二硫化钼纳米晶对THz波几乎没有吸收。此外,这两个样品的延迟时间也与硅基底的基本相同,波形也与空气的相似,这说明这些材料对THz波的色散很小,且样品1、样品2和硅基底的有效折射率基本相等。因此,在没有光泵浦的条件下,二硫化钼纳米晶对THz波几乎是透明的,不对THz波的传输产生任何影响。
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