如果按主电路中使用的功率开关器件的功能进行分类，则见表3-1。然而表中仅给出了具有代表性的开关器件，而没有列出所有的器件。例如有电流方向是单方向的器件，即施加正向电压，就会导通的二极管；有施加正向电压，再加上控制信号器件就会导通，并且一旦导通，即使撤去控制信号仍然导通的晶闸管；有根据控制信号既可以导通也可以关断的器件，如双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor，MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（Insula-ted Gate Bipolar Transistor，IGBT）、门极关断晶闸管（Gate Turn Off Thyristor，GTO晶闸管）。
表3-1 按功率开关器件的功能分类
主要的功率开关器件的发展概况如图3-14所示，晶闸管作为电力半导体器件，取代了以前的汞弧整流器，朝着耐高压、大功率的领域发展，作为高压电力半导体器件，进一步向光触发晶闸管和通断可控的GTO晶闸管等分支领域扩展。另一方面，在20世纪70年代研制出的代替三极真空管的通断可控的双极型晶体管（BJT），它适用于中、小容量的电力变换装置。随后，成功研制了应用于电力行业的功率MOSFET（这里简称MOSFET）。到了20世纪80年代，又研制出MOS FET和功率双极型晶体管复合的IGBT，从此，出现了具有大容量和高速开关特性双重优点的电力半导体器件。
功率开关器件并没有仅仅停留在提高性能上，而是朝着追求使用方便的方向发展，现在已经开发了把保护电路、驱动电路集成在一起的模块化电力IC、智能功率模块（Intelligent Power Module，IPM）。一般认为，功率开关器件今后发展方向是高性能化和系统化。
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图3-14 功率开关器件的发展概括
图3-15给出了各种类型器件的开关频率和变流器容量。晶闸管适用于开关速度较低，容量为数十兆伏安的大功率装置。MOSFET适用于开关频率为20kHz以上的高频领域，数千伏安以下的装置。IGBT是具备高速开关频率和大容量的器件，并且其应用领域不断扩大，现已扩大到以前晶闸管和GTO晶闸管所适用的数兆伏安的大容量领域。
图3-15 功率开关器件的适用领域
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