【摘要】：因为CCD是在大规模硅集成电路工艺基础上研制而成的模拟集成电子芯片，所以它既具有光电转换的功能，又具有信号电荷的存储、转移和读出的功能。CCD目前是许多仪器中的标准图像传感器件。基于上述原因，CCD的设备电子学设计复杂，体积、功耗无法进一步减小。
1969年秋，美国贝尔实验室W.S.Bovle和G.E.Smith受到磁泡，即圆柱形磁畴器件的启示，提出了CCD的概念。CCD是英文Charge Coupled Device的缩写，中文译为“电荷耦合器件”。在经历了一段时间的研究之后，建立了以一维势阱模型为基础的非稳态CCD理论并逐渐完善，发展成为一种新型的固体成像器件。它是在MOS晶体管电荷存储器的基础上发展起来的，所以有人说，CCD是“一个多栅MOS晶体管，即在源与漏之间密布着许多栅极、沟道极长的MOS晶体管”。因为CCD是在大规模硅集成电路工艺基础上研制而成的模拟集成电子芯片，所以它既具有光电转换的功能，又具有信号电荷的存储、转移和读出的功能。CCD从结构上讲，可以分为面阵CCD和线阵CCD。
CCD目前是许多仪器中的标准图像传感器件。然而在长期的应用过程中发现CCD器件存在着诸多缺点，如抗空间辐射的能力比较差、所需要的电源种类比较多、图像电荷须经串行顺序输出才能到达输出端、制造工艺复杂且无法与通用集成电路制造工艺兼容等。随着技术的不断发展，对仪器的姿态精度、体积、重量和功耗等技术指标提出了越来越高的要求。基于上述原因，CCD的设备电子学设计复杂，体积、功耗无法进一步减小。(www.xing528.com)
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