国家半导体照明研究计划优化

作为美国半导体照明的主要推进部门，美国能源部（DOE）制定了一系列计划和政策支持半导体照明技术与产业的发展。他们于2000年开始启动“国家半导体照明研究计划（National research program on semiconductor light-ing）”，即“下一代照明研究计划（NGLI）”，总计投资5亿美元支持计划的实施。该计划也被列入美国“能源法案”，由国防部高级研究计划局（DARPA）和光电子产业发展协会（OIDA）负责执行，共有13个国家重点实验室、公司和大学参加，美国采取各种激励措施加强大学、企业、国家实验室的合作关系。该计划的主要研究内容是降低LED成本和提升LED转换效率、GaN材料的固体物理学问题、相关MOCVD工艺、低缺陷密度衬底、优化器件结构等。该计划的战略措施见表1-1。

表1-1 “下一代照明研究计划”的战略措施

该发展规划在时间上分为三个阶段，发光效率的指标定位是从2002年20lm/W到2007年75lm/W、到2012年150lm/W、到2020年达200lm/W，如图1-6所示。(www.xing528.com)

图1-6 “下一代照明研究计划”的目标

美国“国家半导体照明研究计划”的最终目标是实现LED的通用照明应用，希望半导体照明技术的发展能够在以下三方面对美国产生巨大的影响：大幅度地节省能源消耗量、节约开支和减少发电厂；有利于环境保护；使人的视觉感受更加丰富和更为舒适。