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长江存储科技:深耕武汉新芯,打造大规模存储器

时间:2023-06-03 理论教育 版权反馈
【摘要】:2016年,国家存储器基地在武汉启动,近4个月后长江存储科技有限责任公司正式成立。长江存储由紫光集团控股子公司紫光国器、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业和湖北省科技投资集团有限公司共同出资,其中紫光国器占51%的股份。在长江存储控股武汉新芯后,长江存储将继续拓展武汉新芯的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器,武汉新芯的首席执行官杨士宁出任长江存储首席执行官。

长江存储科技:深耕武汉新芯,打造大规模存储器

在处理器芯片取得突破的同时,存储芯片进展也证明了中国人可以自主创“芯”。武汉新芯项目始建于2006年,于2008年开始正式量产,是华中地区唯一的12英寸芯片生产线,总投资超过百亿元,是湖北省历史上最大的单体投资项目。武汉新芯是中国大陆存储器芯片的拓荒者,其产品覆盖主消费类、工业物联网、汽车电子等各类终端市场。武汉新芯生产的图像传感器芯片兼具高性能和低功耗的优势,已成功打入国内主流智能手机品牌供应链

武汉新芯刚成立时,由于湖北省和武汉市政府没有集成电路制造管理经验,便将其交由中芯国际管理。初期,武汉新芯计划以动态存储器为主要产品切入全球市场,然而不久后全球动态存储器市场的价格暴跌,使武汉新芯不得不将其产品线转向闪存。2008年9月,武汉新芯联手飞索半导体,这家当时全球最大的专门从事闪存开发、生产和营销的高科技跨国企业成为了武汉新芯的主要客户。2003年,飞索半导体由AMD和富士通整合各自的闪存业务合并成立,并且继承了双方长期以来的技术创新和市场领先地位,其NOR型闪存的市场占有率处于世界领先地位,于2005年完成分拆并在纳斯达克成功上市。

在武汉新芯联手飞索半导体的过程中,飞索半导体向中芯国际转移65纳米、43纳米相关生产工艺及技术,武汉新芯则作为重要生产基地为其提供存储器产品代工,2008年其12英寸生产线正式完工并开始投片。然而,在2008年金融危机中,飞索半导体遭遇经济危机濒临破产,武汉新芯几无订单,台积电、镁光等企业都曾试图入股或收购武汉新芯。武汉市政府坚持自主发展,放弃了合资计划。2011年,中芯国际与武汉市政府达成协议,双方合资成立中芯国际集成电路制造(武汉)有限公司。

2012年,武汉新芯实现销售收入1.62亿美元,但仍处于亏损状态,其产能离盈亏平衡点还有不小的差距。2013年,武汉新芯从中芯国际完全独立,而原中芯国际首席运营官杨士宁博士接受武汉东湖开发区的邀请,加入武汉新芯任首席执行官。掌舵武汉新芯后,为了实现跻身国家队目标,杨士宁立即着手组建了具有国际视野、实践经验的管理团队,进而建立了完整的国际化企业管理体系、相对完善的企业运营体系,实现了以运营结果为导向的企业运营机制。

2012年,兆易创新成为了武汉新芯的重要客户,次年由武汉新芯为兆易创新代工的闪存芯片出货量已超过10万片。在杨士宁博士的带领下,武汉新芯的团队在与飞索半导体的合作中,成功地将NAND存储器工艺由55纳米推向32纳米,并于2014年底与飞索半导体组建联合研发团队开始三维NAND的研发。武汉新芯与飞索半导体均从NOR型闪存起步,飞索半导体直到2012年才携SK海力士进军NAND闪存市场,因而这次合作也可以看出两者的协同攻关之举。

2016年,国家存储器基地在武汉启动,近4个月后长江存储科技有限责任公司正式成立。长江存储由紫光集团控股子公司紫光国器、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业和湖北省科技投资集团有限公司共同出资,其中紫光国器占51%的股份。长江存储注册资本为189亿元,法定代表人是赵伟国,从事半导体集成电路科技领域内的技术开发,集成电路及相关产品的设计、研发、测试、封装、制造与销售等。长江存储的注册资本分两期出资:一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和武汉新芯股东湖北省科技投资集团有限公司共同出资,在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上建立长江存储。二期由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。(www.xing528.com)

在长江存储控股武汉新芯后,长江存储将继续拓展武汉新芯的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器,武汉新芯的首席执行官杨士宁出任长江存储首席执行官。杨士宁曾分析,从半导体存储器技术分类来看,目前动态存储和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的绝对主体,其中动态存储市场的增长需求变得相对缓慢,而NAND闪存储存的需求量还将随着云端运算、智能终端机的发展而持续增长10倍,大陆市场的内在需求庞大,占全球市场的一半以上。中国大陆在人才汇聚、国际合作机遇和产业生态支持方面均面临最好的时机,此时长江存储的投入面临着市场、资金(国家“大基金”的资金和政策支持)和人才三方面的大好机遇。

二维NAND相比,三维NAND不论是在物理特性还是架构上都具备成本优势,向三维NAND领域的进军也将成为厂商的共同选择。根据长江存储的目标,长江存储将会通过跳跃式的发展,在2019年实现与世界前端差半代技术,2020年与世界领先技术“并跑”。杨士宁认为,“我们必须从决策到实施等各方面实现真正的创新,打破旧的发展模式,才能顺应新的形势,抓住难得的历史机遇。武汉新芯目前作为国内领先的集成电路制造公司,也根据自身的特色制定了一条创新发展之路。”

图21 杨士宁(左)、白鹏(英特尔副总裁,中)和谢志峰(右)的合影

对一个企业、一个团队而言,执行力不仅是不断向前的强大引擎,更是不容有失的生存基础。杨士宁在美国伦斯勒理工学院获材料工程学专业博士,后来曾在英特尔从事研发工作14年,是英特尔第一技术研发中心的领军人物。作为英特尔技术研发中心的核心人才,杨士宁深知执行力的重要性。有实干精神、有胸怀有勇气、有创业成功的经验是其成功的根本动力。在英特尔工作期间,杨士宁曾经因为解决了奔腾芯片的关键技术问题,获得了英特尔最高成就奖。在担任新加坡特许半导体公司的首席技术官和副总裁期间,他带领团队将高端技术代工的市场占有率从不足1%提升至超过10%。2010年2月,在中芯国际的邀请下,杨士宁任中芯国际的首席运营官。在担任中芯国际的首席运营官期间,杨士宁精简了各部门的组织与管理层,明确制定了工厂营运的五大指标,同时为中芯国际制定了“三级跳”战略,将技术、产能、市场、营运的发展规划融为一体,组建了中国大陆第一个国际化的先进逻辑技术开发队伍,完成了具有独立知识产权的0.13微米铜互连技术开发,使中国大陆的芯片技术首次与国际尖端水平的差距缩小至一代之内。2012年8月,杨士宁赴任武汉新芯后,制定了人才、知识产权、企业管理等方面的一整套实施方案,组建了具有强大执行能力的管理团队,使企业实现了从依附到独立的稳定过渡,开启了跨越式发展的新历程。在企业的运营体系中,服务于国内外客户的销售部门、自律系统管理部门、采购与质量控制部门和研发部门等有机衔接,并在信息管理系统的支撑下高效运行。在企业的对外合作中,武汉新芯与中国科学院微电子研究所、清华大学复旦大学、中国科学院上海微系统所签署了知识产权联合授权协议,引入其专利技术。

“用一贤人而群贤毕至,相一良马而万马奔腾。”杨士宁赴任后,武汉新芯和长江存储先后集聚了一批英才,这为后来的新基地建设提供了保障。2016年12月,长江存储的三维NAND闪存厂房动土,项目总投资金额约 240亿美元,建成后月总产能将达30万片。2017年2月,总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式开发。该基地一期投资100亿美元,建成后的月产能达10万片,主要产品为三维NAND闪存、动态随机存储芯片等,占地面积约1 500亩。此外,福建晋华与联电签订技术合作协定,合肥长鑫也在合肥探索建设新工厂以生产存储器。由此,中国存储企业与三星、SK海力士角逐的大幕已经拉开。

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