胡正明：从二维到三维，颠覆存储平面

20世纪90年代末，业界对于摩尔定律能否延续就已经有所怀疑：因为按照传统的经验，晶体管做小后就没办法关闭。美国加州大学伯克利分校的华人科学家胡正明领导的团队，在25纳米以下的CMOS技术研发中，分别于1999年发明了立体型结构的鳍型晶体管，于2000年发明了SOI的超薄绝缘层上硅体技术即完全空乏型晶体管，解决了电流控制能力急剧下降、漏电率相应提高的难题，使摩尔定律得以延续。新型的晶体管可以使单个电脑芯片的容量比从前提高400倍，对此胡正明曾解释：“过去我们一直用平面结构来思考晶圆的发展，因此尺寸的缩小就有了极限，最后在发现晶体管不必是平面之后，既有的定律就会被打破。”

胡正明1947年出生于北京，成长于台湾。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位，1997年当选为美国工程科学院院士，2007年当选中国科学院外籍院士。在发明鳍型晶体管后，胡正明曾任台积电的首席技术官，带动了台积电的技术发展。这位新竹科学园区有史以来第一位获数理组院士的半导体业人士，当时被称为“中国台湾第一技术长”。2004年，胡正明回到加州大学任教，此后在学术领域屡创高峰，在晶体管尺寸及性能研发上屡次刷新世界纪录。

图17　胡正明院士在集成电路科技馆开馆仪式上接受采访

胡正明曾在多次访谈中谈及自己儿时的学习成长经验。胡正明曾说，自己的数学并不是很好，但喜欢琢磨事物：胡正明很小的时候，就在思考一张纸剪一半、再剪一半，可以剪到多小，终究会不会有无法再剪下去的一刻，这个问题始终困扰着他。或许，这些潜意识里的思考，正是其发明思想的源头。还有一次，胡正明的父亲告诉他闹钟会响，是因为有小人住在里面，他不相信便拆了闹钟来弄清楚。“很多人数学不好，因此便觉得自己不适合当科学家或发明家，其实如果有兴趣，也可以接受训练，可以投入研究，为世界解决问题。”(www.xing528.com)

谈及国内的集成电路行业发展时，胡正明曾指出，“我们能够成功并购国外的企业，不光希望有技术的输入，对管理人才和公司文化的重视也是需要注意的”。如今，三维芯片的设计，颠覆了二维平面的存储，在垂直空间实现了材料、设备、工艺、结构、设计等方面的技术集成和有机融合，集成电路新发展可期。

华人科技工作者在芯片领域的辉煌成就，说明只要中国人坚定信心、选准目标、苦干实干、久久为功，便有能力走向引领芯片发展的世界舞台。