支持本地化：三星、海力士的全方位配套策略

韩国半导体产业集群发展所需的人才，有相当一部分从海外引进而来，其目标对象除了韩裔人士外，还包括美国、日本和中国台湾地区等地的人才。20世纪90年代初，韩国企业趁日本经济泡沫破裂，东芝和日本电气等巨头大幅降低半导体投资时，加大投资力度引进日本技术人员。

1994年，韩国推出了《半导体芯片保护法》，对集成电路的技术发展进行保护。1999年，韩国通过“智慧韩国21工程（Brain Korea 21）”等计划对大学和研究的集成电路发展进行了精准扶持，政府与大财团的支持也为韩国集成电路的发展提供了足够的资源。由此，韩国逐步形成了以三星和SK海力士为龙头，制造、设备和材料企业互为补充的产业链，还形成了龙仁、化成、利川等集群。

其中，韩国半导体产业集群发展所需的设备，有相当部分从韩国半导体企业或其他企业中分拆而来，而韩国政府和企业对其进行扶持。2009年以来，三星电子、海力士为了降低设备和原材料的海外依存度，通过股权投资、合作开发或产品采购等多种方式支持设备的本地化开发。例如，2009年底，三星电子、海力士联合注册发展低压化学气相沉积、蚀刻设备，铜制造工艺化学机械研磨设备，关键点测量设备，离子掺杂设备等。

此外，韩国的设备企业还借鉴了设计和制造企业的国际合作经验，积极开展国际合作研发项目。例如，2007年韩国与美国达成的合作研发协议中，在设计上与加州大学伯克利分校合作，在制造工艺上与斯坦福大学合作，在设备材料上与得克萨斯州大学达拉斯分校合作。得益于技术上的进步，国际半导体设备研发合作、标准制定组织也开始吸收韩国的设备企业参与，从而又进一步助推了韩国的集成电路产业发展。

20世纪80年代至90年代，在日本与美国的半导体行业竞争中，英特尔向更高端的微处理器转型，而日本企业的对美出口则受到了贸易挑战。此时，以三星为代表，韩国集成电路企业找准了市场方向，以通用性强的动态存储器为重点，在“逆周期投资”等策略下集中优势对日本企业发起了赶超之路。20世纪90年代，三星的动态存储器“双向型数据通选方案”被认定为行业标准后，韩国的动态存储器产品全面超越日本。同时，在20世纪90年代的全球集成电路垂直分工历程中，韩国政府顺应趋势对芯片设计企业加以支持，加速了设计的国产化进程。其后，韩国企业在其产品系列向多领域扩展的同时，也逐步建立了上、中、下游完善的全产业链。(www.xing528.com)

在该进程中，三星在进入初期用了半年时间收集和分析信息，对技术和市场有了成熟的理解，并且制定了可行的发展策略，做好了很多隐性的知识储备。除公开文献外，隐性信息重要来源是韩裔的美籍科学家和工程师，他们的建议为三星的显性知识、隐性知识的消化吸收奠定了基础。

这种“自上而下”的全产业链布局，与“自下而上”的从简单到复杂工艺的集成，是韩国集成电路启动时期的基本特点，其经验带给后来者诸多启示。这种组织模式，又与韩国文化背景有着千丝万缕的联系。在韩国，除三星电子外，由现代电子分离而来的海力士半导体（Hynix）也是全球动态存储和闪存芯片领域的重要厂商。在2001年从现代集团分离出来前，现代电子已经于1999年收购了LG半导体，分拆后则改名为海力士半导体。2004年，海力士将系统芯片业务出售给花旗集团，成为专业的存储器芯片制造商。2012年，韩国财阀SK集团宣布收购海力士，更名为SK Hynix。

以韩国、中国海峡两岸为代表，东亚地区成了存储芯片领域的重心。在全球其他地区的发展中，收购日本尔必达、总部位于美国爱达荷州的镁光科技（Micron Technology）公司是为数不多的竞争者。镁光科技成立于1978年，于1981年建立了晶圆制造厂，是全球内存和图像传感器芯片的有力竞争者，产品涉及动态随机存储器、NAND闪存、CMOS图像传感器、半导体组件以及存储器模块等。2013年，镁光交付了世界上最小的 16纳米 NAND 闪存，2014年推出业内首款单片集成 8Gb DDR3 SDRAM。2015年，镁光与英特尔联合推出当时密度最高的闪存三维NAND，利用垂直堆叠多层数据存储单元实现了与二维NAND相比高3倍的容量，支撑产品的技术是镁光与英特尔联合研发的三维XPointTM技术。