在半导体加工领域,现有的喷涂光刻胶技术中,厚胶膜的涂覆是通过旋涂方式处理的,因为胶膜较厚,需要经过2 次以上涂覆且摊胶过程较慢,产能很低,并且均匀性较难控制,而且晶圆旋涂处理后在边缘还有一圈凸起,造成晶圆的边缘不能利用,降低了产品的利用率。随着半导体生产精细化和高集成化要求越来越高,晶圆生产率和成品率也越来越受到重视,而在各种处理过程中,晶片表面喷涂光刻胶的处理尤为重要,特别是对晶片表面喷涂处理速度的优化,对提高产能、降低成本、增加效益均有重要影响,但喷涂速度与喷涂厚度又存在必然的反比关系,当喷涂晶圆表面的光刻胶层要达到较厚的厚度时,需要往复进行多次喷涂,这也使得单片晶片喷涂加工耗时大幅度增加,造成产能降低。
沈阳芯源微电子设备有限公司于2014 年12 月18 日向中国国家知识产权局提交了名为“一种半导体制成厚胶膜涂覆装置及其使用方法”的发明专利申请,解决了以上存在的问题。该申请于2018 年2 月2 日获得专利授权,授权公告号为CN105772323B。该专利涉及B05C5/00(将液体或其他流体物质喷射,灌注或让其流到工件表面的装置)IPC 领域,该专利被授予第一届辽宁省专利奖二等奖。该项专利权利主体于2019 年5 月17 日由沈阳芯源微电子设备有限公司变更为沈阳芯源微电子设备股份有限公司。表3.2 显示了CN105772323B 专利附加信息,图3.14 所示为该专利的摘要附图。
表3.12 CN105772323B 专利附加信息
图3.14 CN105772323B 摘要附图(www.xing528.com)
该专利公开了发明涉及半导体加工领域,具体地说是一种半导体制成厚胶膜涂覆装置及其使用方法,包括电缸、喷头、胶杯组件、旋转吸附机构和基板,其中电缸和胶杯组件均设置于基板上,电缸上设有移动梁,间距和高度均可调的喷头设置于所述移动梁上,旋转吸附机构上设有用于吸附晶圆并且可旋转的吸附盘,吸附盘设置于所述胶杯组件的中部,喷头在胶膜涂覆时通过所述电缸的移动梁带动在所述吸附盘上方水平移动,待加工的晶圆放置于吸附盘上,多个喷头通过电缸驱动同步水平移动喷洒光刻胶,然后晶圆通过吸附盘吸附固定,多个喷头通过电缸驱动同步水平移动喷洒雾化的光阻。本专利保证喷涂均匀,使晶圆整体膜厚统一,杜绝晶圆边缘凸起。
该专利权利要求1 记载的内容:一种半导体制成厚胶膜涂覆装置,其特征包括电缸、喷头、胶杯组件、旋转吸附机构和基板,其中电缸和胶杯组件均设置于基板上,所述电缸上设有移动梁,间距和高度均可调的喷头设置于所述移动梁上,所述旋转吸附机构上设有用于吸附晶圆并且可旋转的吸附盘,所述吸附盘设置于所述胶杯组件的中部,所述喷头在胶膜涂覆时通过所述电缸的移动梁带动在所述吸附盘上方水平移动;所述喷头通过标尺和安装架安装在电缸的移动梁上,所述移动梁上设有一个固定板,多个安装架安装在所述固定板上,每个安装架上均插装有带刻度的标尺,每个标尺下端固装有喷头。
沈阳芯源微电子设备有限公司主要为下游集成电路、LED 芯片等半导体产品制造企业提供光刻工序涂胶显影设备或单片式湿法设备等产品,因此在涂胶显影设备方面具有一定的技术储备。本节中“一种半导体制成厚胶膜涂覆装置及其使用方法”是关于喷涂光刻胶技术中厚胶膜的涂覆方面的发明专利,该专利在中国台湾地区也进行了布局,一定程度上显示出其市场化方向。
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