图3.7 为全国集成电路装备产业专利申请IPC 分布图。从IPC 分类排名来看，该领域专利热点主要集中在H01L21/336（带有绝缘栅的）、H01L21/67（专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适用于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置）、H01L21/60（引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流）、H01L21/768（利用互连在器件中的分离元件间传输电流）等几个组。从申请量上来看，H01L21/336（带有绝缘栅的）占据绝对优势，也就是制造绝缘栅场效应管的台阶式工艺，说明该工艺研发是目前国内集成电路装备产业研究的主要方向。而排名紧随其后的几个IPC 方向专利量占比也很大，都在17 000 件以上，说明集成电路装备的热门领域比较分散，有多个研发方向。
图3.8 为辽宁省集成电路装备产业专利申请IPC 分布图。从IPC 排名来看，该领域专利热点主要集中在H01L21/67（专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适用于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置）这个组。而H01L21/677（用于传送的，例如在不同的工作站之间）、H01L21/02（半导体器件或其部件的制造或处理）等几个组虽然也有100 件左右，但与H01L21/67 组307 件的申请量相比，还存在较大差距。
图3.7 全国集成电路装备产业专利申请IPC 分布图(www.xing528.com)
图3.8 辽宁省集成电路装备产业专利申请IPC 分布图
从图3.7 和图3.8 的对比可以看出，辽宁省关于集成电路装备领域的研究热点与全国的研究热点有一定差异。例如，在全国集成电路装备领域IPC 排名中，位列第一的是制造绝缘栅场效应管的台阶式工艺，但辽宁申请量不高。而辽宁的研发热点主要集中在处理半导体或电固体器件的装置等方向，这可能是因为作为传统的东北老工业基地，辽宁在发展处理半导体或电固体器件的装置方面更具有先天优势。
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